工研院與加州大學洛杉磯分校合作,開發電壓控制式磁性記憶體

作者 | 發布日期 2022 年 03 月 03 日 14:50 | 分類 奈米 , 尖端科技 , 會員專區 line share Linkedin share follow us in feedly line share
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工研院與加州大學洛杉磯分校合作,開發電壓控制式磁性記憶體

5G、AI 人工智慧正在驅動半導體產業成長趨勢,隨著晶片體積愈來愈小,高速、高效能的磁性記憶體(MRAM)技術已成為主流。近日工研院與美國加州大學洛杉磯分校(UCLA)合作開發「電壓控制式磁性記憶體(VC-MRAM)」,可望減少近百倍能耗、提升逾十倍速度。

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