Tag Archives: SOT MRAM

工研院、台積電合作開發 SOT-MRAM 元件，助運算功耗降百倍
作者 |發布日期 2024 年 01 月 17 日 10:41 |
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分類 晶圓 , 晶片 , 記憶體

工研院與晶圓製造龍頭台積電合作，攜手開發出自旋軌道轉矩磁性記憶體（Spin Orbit Torque MRAM，簡稱 SOT-MRAM）陣列晶片搭配創新的運算架構，適用於記憶體內運算，且功耗僅為 STT-MRAM 百分之一，並在國際電子元件會議（IEDM）共同發表論文，展現次世代記憶體技術的研發能量。 繼續閱讀..

工研院與加州大學洛杉磯分校合作，開發電壓控制式磁性記憶體
作者 |發布日期 2022 年 03 月 03 日 14:50 |
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分類 奈米 , 尖端科技 , 會員專區

5G、AI 人工智慧正在驅動半導體產業成長趨勢，隨著晶片體積愈來愈小，高速、高效能的磁性記憶體（MRAM）技術已成為主流。近日工研院與美國加州大學洛杉磯分校（UCLA）合作開發「電壓控制式磁性記憶體（VC-MRAM）」，可望減少近百倍能耗、提升逾十倍速度。 繼續閱讀..