「夢幻記憶體」現身半導體展!工研院領先三星,展出全球最快磁性記憶體

作者 | 發布日期 2022 年 09 月 16 日 13:09 | 分類 半導體 , 晶片 , 記憶體 Telegram share ! follow us in feedly


經濟部技術處在 2022 SEMICON Taiwan 展出 33 項創新技術,最吸睛的莫過於完成世界最快、被稱為「夢幻記憶體」的 SOT-MRAM 陣列晶片,達成 0.4 奈秒高速寫入、7 兆次讀寫之高耐受度,效能領先南韓大廠 20%。

第三代 SOT-MRAM 陣列晶片具有省電、讀寫快、尺寸做很小,屬於「非揮發性記憶體技術」,斷電時儲存的資料不會消失。至於市面上 DRAM 是動態隨機存取記憶體,當電流關掉後,儲存的資料會全部消失,因此平時使用電腦時,必須用 ROM(唯讀記憶體),將電腦資料、檔案永久儲存。

MRAM 利用具高敏感度的磁電阻材料製造的記憶體,因讀寫速度快且可改寫,未來適合車用市場、AI、高效能運算晶片甚至是量子電腦領域。此外,工研院自 2002 年開始研發,目前已完成第二代 STT-MRAM 以及第三代 SOT-MRAM 技術,打造國內唯一磁性記憶體驗證試量產平台與生態系,也獲美國國防部出資合作開發下一代磁性記憶體技術,未來可以整合成先進製程嵌入式記憶體。

Source:工研院

此外,工研院研發的「充電樁與車載充電器用碳化矽功率模組」,採用碳化矽功率半導體元件(SiC MOSFET)取代傳統矽基功率半導體元件(Si IGBT)。該模組以最佳化設計與新封裝製程導入,投入快速充電應用 1,700V 碳化矽功率模組開發,可實現高電壓低電流的 800V 快充,比 400V 系統減少一半的充電時間,同時使熱阻值較國際大廠產品改善達 20%以上,並簡化系統散熱設計,降低製造成本。

此外,工研院開發以X光為基礎,穿透多層環繞閘極(Gate-all-around,GAA)結構,以原子級解析度監控關鍵尺寸,滿足量測前段製程奈米尺寸三維複雜結構需求,可量測奈米尺寸的三維複雜結構,協助業者進行 2 奈米的製程量測,量測時間縮短 60%,為全世界速度最快的 2 奈米量測機臺,將於近期衍生新創公司 NanoSeeX,業界反應熱烈,募資將上看新臺幣三億元。

Source:工研院

同時,也展出全球首創可以 3D Live 直播互動的「即時裸視 3D 服務系統」、可以真人 3D Live 直播互動,並直接用 AI 去背,讓影像即時變成 3D,再與虛擬背景即時融合成像,整體運算約 1 秒完成,無須穿戴任何穿戴式裝置即可看見 3D 影像,適合做為現場演唱會、廣告看板和遠距投影會議等用途。經濟部技術處指出,目前已經跟許多業者合作,未來將與智慧移動、展演合作展現。

(Source:科技新報)

最後是氮化鎵射頻高電子遷移率電晶體,具高頻率、低功耗、高功率的特點,特別適用於射頻(RF)領域,如 5G 射頻設備、軍用雷達、光達 Lidar 等。工研院建置 8 吋大面積氮化鎵射頻元件技術及平台,未來將以大尺寸晶圓超高頻元件製程,搶先布局下世代 B5G / 6G 之龐大應用市場。

(首圖來源:科技新報)