工研院與晶圓製造龍頭台積電合作，攜手開發出自旋軌道轉矩磁性記憶體（Spin Orbit Torque MRAM，簡稱 SOT-MRAM）陣列晶片搭配創新的運算架構，適用於記憶體內運算，且功耗僅為 STT-MRAM 百分之一，並在國際電子元件會議（IEDM）共同發表論文，展現次世代記憶體技術的研發能量。
工研院指出，這次藉由工研院與台積電雙方共同合作，發表重要研發成果，引領產業加速躋身下世代記憶體技術領先群，維持臺灣半導體的國際競爭優勢。
工研院電子與光電系統所所長張世杰指出，工研院和台積電繼去年在全球半導體領域頂尖之「超大型積體技術及電路國際會議」（Symposium on VLSI Technology and Circuits）共同發表論文之後，今年更開發出兼具低功耗、10 奈秒（nanoseconds；ns）高速工作等優點的 SOT-MRAM 單元，並結合電路設計完成記憶體內運算技術，進一步提升運算效能，跳脫 MRAM 已往以記憶體為主的應用情境。
張世杰表示，雙方將研發成果共同發表在 IEDM 2023，未來此技術可應用於高效能運算（HPC）、AI 人工智慧及車用晶片等。
（首圖來源：工研院）
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