卡脖子對準長江存儲，美國擬禁止 NAND Flash 生產設備出口中國

路透社報導，四位知情人士透露，美國考慮限制美國晶片製造設備出口中國。限制的對象包括長江存儲，美國藉此縮限中國半導體產業發展，保護美國半導體企業。

報導引用不願透露姓名消息人士說法，如果美國政府確定實行，可能損害南韓記憶體大廠三星電子和 SK 海力士。三星在中國擁有兩大工廠，SK 海力士也收購英特爾中國 NAND Flash 快閃記憶體製造業務。美國新限制若批准，限制範圍將擴大到禁止美國晶片製造設備運往中國 NAND Flash 工廠。

出口管制專家表示，美國首次透過出口管制中國生產不是軍事用途的記憶體。美國生產記憶體企業僅剩威騰電子 (WD) 與美光科技 (Micron)，約占全球 NAND Flash 市場 25%，限制計畫代表更廣泛的美國國家安全意義。

兩名消息人士表示，研擬中計畫為禁止製造 128 層堆疊以上 NAND Flash 晶片設備出口中國。生產設備的美國大廠有科林研發 (LAM Research) 及應用材料 ( Applied Materials)。計畫正在討論階段，還沒有起草。美國商務部也不願評論，僅指出美國政府重點是削弱中國製造先進半導體的能力，以應付重大國家安全風險。科林研發、SK 海力士和美光也拒絕發表評論。三星、應用材料、長江存儲、威騰都未回應。

成立於 2016 年的長江存儲是 NAND Flash 領域後起之秀。美國政府 2021 年 6 月報告指出，美光和威騰電子面臨長江存儲產品的低價競爭壓力，代表長江存儲擴張和低價策略對美光和威騰電子構成直接威脅。長江存儲為中國 NAND Flash 龍頭，且取得約 240 億美元中國政府補貼。

美國商務部指出，長江存儲已接受美國商務部調查，原因是出售記憶體產品是否違反美國出口管制規定。市場諮詢與調查機構 Yole Intelligence 資料顯示，長江存儲約占全球 NAND Flash 產量 5%，較一年前近翻倍成長。威騰電子約占 13%，美光科技占約 11%。若不能出口 128 層堆疊以上 NAND Flash 設備給長江存儲，將因此受困，未來很難發展。

Yole 資料顯示，2022 年中國 NAND Flash 產量從 2019 年占全球產能不到 14% 成長到 2022 年 23% 以上，同期美國產量從 2.3% 下降至 1.6%。美國 NAND Flash 幾乎都在海外生產。

(首圖來源：shutterstock)