新創業者 Cambridge GaN Devices 獲 1,900 萬美元 B 輪融資，加速拓展 GaN 市場

新創功率半導體業者 Cambridge GaN Devices（CGD）今日宣布，已募集 1,900 萬美元的 Series B 資金。此投資案由 Parkwalk Advisors 和 BGF 領投，另有 IQ Capital、CIC、Foresight Williams Technology 和 Martlet Capital 跟投。投資將使 CGD 能開始量產其用於功率應用的 GaN 電晶體系列，拓展擴大 500 億美元的功率半導體裝置市場。

CGD 是一家無晶圓廠半導體公司，於 2016 年從英國劍橋大學工程系著名的功率裝置集團分割，從事 GaN 電晶體和 IC 的設計、開發及商業化；目前已完成品牌開發，在全球有 40 多名員工，同時也計劃擴編更多員工，以持續擴大規模。

CGD 已開發出新的知識財產，並在市場上推出其最新的 ICeGaN 氮化鎵電晶體系列，滿足全球市值達 500 億美元的功率半導體市場的需求，包括消費產品、工業電源供應器、照明、資料中心與 HEV/EV 汽車等。

另外，CGD 目前正在進行一項由歐洲資助金額達 1,000 萬美元的專案，開發用於低功率和高功率應用的 GaN 模組（GaNext）；也參與一項英國針對採用 GaN 裝置的 PCB 嵌入式電源系統（P3EP）的供應鏈計劃。同時最近也剛啟動一項專案，投入開發可減少資料中心排放、高可靠度的 GaN 功率電晶體和 IC （ICeData）。

CGD 共同創辦人暨執行長 GIORGIA LONGOBARDI 表示，隨著世界快速電氣化，朝淨零碳社會邁進，需要乾淨、可再生的電力來源和更高效的轉換方法。GaN 提供了最佳的轉換解決方案，可將功率損耗降低 50% 以上，將能量轉換效率提高到 99% 以上。如果所有資料中心都採用氮化鎵，每年將省下 12.4TWh 的電力，或減少 900 萬噸的二氧化碳排放，這相當於 190 萬輛內燃機車輛停止行駛一年。

（首圖來源：CGD）