中芯國際與長江存儲將調整製程生產,符合美國新半導體規定

作者 | 發布日期 2022 年 11 月 22 日 18:00 | 分類 IC 設計 , 中國觀察 , 半導體 line share follow us in feedly line share
中芯國際與長江存儲將調整製程生產,符合美國新半導體規定


外媒報導,美國政府 10 月對中國半導體和超級電腦產業實施全面制裁時,全球半導體產業股票市值損失約 2,400 億美元。新一季開始,正在了解美國公司將因新制裁規定損失多少營收,雖然數字驚人,但不會讓這些公司嚴重受傷,因據半導體設備供應商美商應材,受美國制裁的中國企業可藉調整製程技術,巧妙規避美國政府制裁。

應材財務長 Brice Hill 表示,一些客戶可能會改變計畫或技術,以不受美國新制裁規定限制。據美國最新出口規定,限定出口中國生產製造 14 / 16 奈米以下節點非平面電晶體邏輯晶片、128 層以上 3D NAND、18 奈米製程以下 DRAM 記憶體的美國企業生產設備和技術。這些都是當今先進的半導體製造技術,需要美商應用材料、科磊(KLA)和科林研發(Lam Research)等美國企業的設備與技術。

要運送符合新規定的晶圓廠設備,美國企業必須取得出口許可證。應材強調,部分客戶可能調整製程以避免與新規定牴觸。雖應材沒有明說,但市場推測中芯國際可能會採 17 奈米製程,長江存儲可能減少 3D NAND Flash 堆疊層數符合新美國制裁規定。應材也試圖與客戶釐清狀況,若確定技術符合規定,應材就可申請許可或取得出口授權。但客戶也可能改變計畫或技術,不牴觸美國政府新規定門檻。

中芯國際製程由 14 奈米改為 17 奈米,需改變現有設計,以在更成熟節點達特定性能和功率。較低電晶體密度代表較大電晶體尺寸,都會影響成本產量,甚至封裝尺寸。當然,所有中芯國際採用 17奈米節點假設都只是推測。

對 3D NAND Flash 快閃記憶體商的長江存儲來說,事情也異常複雜。128 層 3D NAND Flash 生產設備對應非常特定 3D TLC 或 3D QLC 記憶體容量,減少記憶體堆疊層數將影響設備成本。雖然 3D NAND Flash 製造商堆疊層數和容量有一定自由度,但產品關係 SSD 控制 IC 開發人員認證。採不同生產設備需要漫長認證開發過程。雖然部分生產技術可調整,但中芯國際和長江存儲都不想放棄價值數十億美元設備,因成本高昂,且生產技術非一蹴可及。

應材指美國的中國半導體制裁,使應材 2023 財年損失約 25 億美元營收,約 2022 財年公司營收 257.9 億美元的 10%,會繼續努力從美國商務部取得適當出口許可證。努力符合美國政府制裁規定下取得許可,將減少影響 2023 年營收 5 億至 10 億美元,淨影響為 15 億至 20 億美元。

(首圖來源:中芯國際)

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