日本經濟產業省宣布 7 月 23 日起將 23 種半導體製造設備列入出口管制措施，令中國半導體業者相當緊張。其實比起美荷夾殺，日本限制半導體設備出口，才是衝擊中國晶片業發展的關鍵，很可能重創低階晶片製造。
了解壓垮關鍵前，必須先知道日本這次管制哪些設備出口。
日本出口管制有哪些設備？
日本列入出口管制的 23 個設備品類，包括 1 項熱處理設備、1 項測試設備、4 項微影曝光設備、3 項蝕刻設備、3 項清洗設備、11 項薄膜沉積設備。
4 項微影曝光設備包括 EUV 曝光薄膜設備、EUV 曝光的薄膜製造設備、EUV 曝光光阻劑塗佈顯影設備（Coater Developer），及 193 奈米以上光源波長乘以 0.25 後數值除以孔徑值為 45 以下的光學曝光系統（包括 Nikon 浸潤式 ArF 曝光設備）。
蝕刻設備包括矽鍺（SiGe）／矽（Si）選擇性比率為 100 以上的濕法蝕刻設備；此外還有薄膜沉積設備，日本政府另外拉出 11 點解釋哪些設備列入管制。
從產品應用面看，主要涉及極紫外光（EUV）相關產品的製造設備、3D 堆疊記憶體的蝕刻設備，以及製造 10~14 奈米以下先進晶片設備。
日本設備商出口前，必須申請許可證
新限令沒有明確將中國等特定國家和地區定為管制對象，除針對友好國家等 42 個國家和地區外，其餘需個別許可，所以出口中國仍受限。
日本經濟產業大臣西村康稔強調，此舉不是與美國協調的結果，也不是為了遏制中國。出口管制適用於所有地區，非針對特定國家，這項政策是為了阻止先進技術用於軍事目的。
美、荷出口限令有哪些？
美國出口限令分為三部分，為邏輯 IC 14 / 16 奈米以下製程」、記憶體製程 DRAM 18 奈米以下、NAND 快閃記憶體 128 層以上。此外，任何美國人（含美國公民、持綠卡的永久居民或依美國法律成立的法人實體）未經許可，不得協助中國「開發」或「生產」高階晶片，否則將失去美國公民身分。
荷蘭新出口管制涉及最先進的浸入式「深紫外光微影」（DUV）設備，半導體設備龍頭 ASML 預估新管制包括最先進沉積和浸潤式微影（immersion lithography）設備，將為最先進浸入式 DUV 系統申請出口許可證。
不過荷蘭政府尚未界定「最先進」設備，也沒有釋出更新消息，目前只預定 7 月中公布細則。ASML 可能是 TWINSCAN NXT：2000i 及之後推出的浸入式設備。
比起美國，日本限令對中國衝擊更大
外媒《金融時報》（Financial Times）指出，美國、荷蘭宣布限制後，中國業者本來還有把握，認為不會影響中國製造能力，但日本出口限令一出，中國業者開始緊張，「比起美國去年規定，日本出口管制更令中國不安」，因日本設備更常用於成熟製程。
智慧家電、汽車及電信設備都採用 28 奈米以上製程，日本目前規範如 Nikon 浸潤式曝光機等設備，都包含最基本 45 奈米晶片。日本只允許開放 193 奈米以上波長、乾式設備，意味中國最多可能只能做到 40 奈米等級，若要發展 28 奈米成熟製程也有難度。
中國政府官員透露，ASML 預估只會限制先進設備製程，但日本會更廣泛限制 Nikon 產品出口，影響成熟製程供應鏈。
業界人士預估，隨著封殺網成形，中國要取得 40 奈米以下設備可能更困難，即使日本沒完全限制，但申請許可是逐件審核，恐嚴重影響擴產計畫。
中國本土設備商部分，上海微電子曝光設備製程僅發展到 90 奈米，雖然極力攻克 28 奈米曝光機，但已被美國列入實體清單，研發能力受限。即使中國想突破重圍，重新開發和轉換設備也沒那麼容易。
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（首圖來源：shutterstock）
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