SK 海力士發表 321 層 NAND Flash 樣品，效能提升 59%

南韓記憶體大廠 SK 海力士 8 日宣布，新 321 層堆疊 4D NAND Flash 快閃記憶體樣品，成為業界第一家開發完成 300 層以上堆疊 NAND Flash 的公司。

SK 海力士宣布，開始最佳化 321 層堆疊 4D NAND Flash，2025 上半期量產供貨。

SK 海力士 321 層堆疊 1Tb TLC 4D NAND Flash 效能，較上一代 238 層 512Gb 4D NAND Flash 提高 59%。因數據儲存單元可用更多單片數量堆疊更高，相同大面積晶片有更大儲存量，增加單位晶圓晶片產量。

SK 海力士還發表最佳化下一代 NAND Flash 解決方案，包括採 PCIe 5 (Gen5) 介面的企業級固態硬碟 (Enterprise SSD，eSSD) 及 UFS 4.0 產品。

SK 海力士積累產品技術和最佳化解決方案的基礎上，積極開發下一代 PCI 6.0 和 UFS 5.0 產品，以致力繼續領導記憶體市場。

(首圖來源：SK 海力士)