iPhone 15 Pro 傳過熱，韓媒：台積電 3 奈米或有瑕疵

韓媒傳出，iPhone 15 Pro 面臨過熱問題，恐怕跟台積電以 3 奈米製程技術代工的 A17 Pro 處理器有關。

BusinessKorea 26日報導，根據業界消息及外媒報導，一名中國用戶最近回報，iPhone 15 Pro執行高階遊戲後，機身溫度在30分內飆升至48度C。晶片過熱通常暗示製程出現設計缺陷，例如無法控制漏電流（power leakage）等問題。

業界部分人士謹慎指出，台積電製程或許有問題。其中一項理由，是傳統的「鰭式場效電晶體（FinFET）」製程已瀕極限。FinFET製程於2011年推出，其電源控制介面有三面，直到4奈米為止都是晶片設計不可或缺的技術。然而，一旦製程升級至3奈米以下，以FinFET技術控制電流將變得極具挑戰。

另一個較大的隱憂，則是若第一代3奈米產品有瑕疵，基於同樣技術的後續製程恐怕也會有問題。台積電已宣布推出數個3奈米後續製程，當中包括接續第一代「N3B」的第二代「N3E」。

先前三星電子（Samsung Electronics）曾在5奈米製程面臨挑戰，其5奈米接續製程及類似的4奈米製程也同樣備受影響。這導致Galaxy S22內建的晶片面臨過熱問題，最終促使高通（Qualcomm）等大客戶轉換至台積電。結果，台積電、三星的市占差距在上一季拉開50.3個百點之多。

三星為力挽狂瀾，已將3奈米改為「環繞式閘極」（gate-all-around，GAA）製程，這種架構有更多控制介面，能改善電流控制、減少電力消耗並將表現效率提升約10%。台積電已坦承FinFET的侷限性，並宣布2奈米也會轉換至GAA製程。

（本文由 MoneyDJ新聞授權轉載；首圖來源：蘋果）