為了應對美國半導體出口管制，中國加速半導體自給自足計畫，也逐步獲得更多成果。業界人士 9 日透露，中國製造商小米 10 月發布的小米 14 手機採用長江存儲 NAND 快閃記憶體存儲設備。
先前華為的 Mate 60 Pro 採用 SK 海力士和美光的記憶體，這也暗示中國記憶體產業快要實現記憶體獨立。
長江存儲去年率先量產第六代 232 層 3D NAND 快閃記憶體，領先 SK 海力士和三星，受到業界關注。列入美國制裁名單後，長江存儲先進半導體計畫直接從 128 層跳到 232 層，不經過第六代 176 層，緊追韓國領先半導體公司。
考慮到最近智慧手機都使用 176 層 NAND，下一代產品商業化進展可說突飛猛進。此外，長江存儲 7 月還發表 232 層 NAND 智泰 600 1TB 消費級固態硬碟（SSD）。
韓媒 BusinessKorea 報導稱，層數不是 NAND 技術唯一競爭因素，三星和 SK 海力士仍比中國公司有技術優勢，但雙方 NAND 技術差距縮小到兩年，很難保持明顯的領先優勢。
半導體研調機構 TechInsights 拆解長江存儲 232 層 NAND 產品，發現中國成功克服美國貿易限制，比預期更有效建立半導體供應鏈。
至於 DRAM 領域，中國仍面臨挑戰，中國 DRAM 領頭企業長鑫存儲目前 DRAM 約 22 奈米，明顯落後業界領先 12 奈米製程，差距超過五年。
（首圖來源：shutterstock）
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