Porotech 與力積電合作，生產 200mm GaN-on-Silicon Micro LED

英國劍橋大學衍生 Micro LED 企業、以氮化鎵（GaN）為基礎的半導體技術的公司 Porotech 宣布與力積電合作，在 Micro LED 顯示應用建立戰略合作夥伴關係，以生產應用終端顯示應用的 200mm GaN-on-Silicon 的 Micro LED。

Porotech 指出，此合作夥伴關係將加速生產用於終端顯示應用的最高亮度、最高像素密度、最小且低成本的 Micro LED，並實現商業化量產以應對消費者應用需求。

Porotech 強調，力積電在半導體前端晶圓製造代工的專有技術，與 Porotech 在PoroGaN® MicroLED-on-Silicon（簡稱 uLEDoS）、動態像素調整技術（DPT®）、GaN-on-Silicon 平台等世界領先技術結合，將確保 Micro LED 顯示器的商業化。

Porotech 認為在半導體環境中量產 Porotech Micro LED-on-Silicon，是顯示器消費應用商業化一大步。力積電在半導體前端晶圓製造方面的實力，也有望在生產階段做出貢獻。雙方對於Micro LED-on-Silicon 在半導體製造技術中的潛在成果充滿信心，利用雙方技術優勢，實現高性能、高產量和低成本的終端顯示應用。

Porotech 創辦人朱彤彤表示，與力積電合作，是生產應用顯示器的 Micro LED-on-Silicon 技術，標誌著一個重大進步，充分顯示在追求創新和卓越的共同態度。在 uLEDoS 技術的技術沿革中，GaN on Silicon 角色是不可或缺的。

（首圖來源：Porotech）