聯電推出業界首項 RFSOI 3D IC 解決方案，減少 RF 晶片 45% 面積

就在當前成熟製程有產能過剩疑慮，使得各家以成熟製程為主的晶圓代工廠，開始發展利基型產品，以突圍出自己的一片天空之際，晶圓代工大廠聯電宣布，推出業界首項 RFSOI 製程技術的 3D IC 解決方案，此 55 奈米 RFSOI 製程平台上所使用的矽堆疊技術，在不損耗射頻 (RF) 效能下，可將晶片尺寸縮小 45% 以上，使客戶能夠有效率地整合更多射頻元件，以滿足 5G 更大的頻寬需求。