聯電推出業界首項 RFSOI 3D IC 解決方案，減少 RF 晶片 45% 面積

就在當前成熟製程有產能過剩疑慮，使得各家以成熟製程為主的晶圓代工廠，開始發展利基型產品，以突圍出自己的一片天空之際，晶圓代工大廠聯電宣布，推出業界首項 RFSOI 製程技術的 3D IC 解決方案，此 55 奈米 RFSOI 製程平台上所使用的矽堆疊技術，在不損耗射頻 (RF) 效能下，可將晶片尺寸縮小 45% 以上，使客戶能夠有效率地整合更多射頻元件，以滿足 5G 更大的頻寬需求。

聯電指出，RFSOI 是用於低雜訊放大器、開關和天線調諧器等射頻晶片的晶圓製程。隨著新一代智慧手機對頻段數量需求的不斷成長，聯電的 RFSOI 3D IC 解決方案，利用晶圓對晶圓的鍵合技術，並解決了晶片堆疊時常見的射頻干擾問題，將裝置中傳輸和接收資料的關鍵組件，透過垂直堆疊晶片來減少面積，以解決在裝置中為整合更多射頻前端模組帶來的挑戰。該製程已獲得多項國際專利，準備投入量產。

聯電技術開發處執行處長馬瑞吉 (Raj Verma) 表示，聯電領先業界以創新射頻前端模組的 3D IC 技術，為客戶打造最先進的解決方案。這項突破性技術不僅解決了 5G/6G 智慧手機頻段需求增加所帶來的挑戰，更有助於在行動、物聯網和虛擬實境的裝置中，透過同時容納更多頻段來實現更快的資料傳輸。未來我們將持續開發如 5G 毫米波晶片堆疊技術的解決方案，以滿足客戶對射頻晶片的需求。

聯電強調，擁有業界最完整的射頻前端模組晶片解決方案，提供包括行動裝置、Wi-Fi、汽車、物聯網和衛星通訊等廣泛應用的需求。RFSOI 解決方案系列從 130 到 40 奈米的製程技術，以 8 吋和 12 吋晶圓生產，目前已完成超 500 個產品設計定案，出貨量更高達 380 多億顆。除了 RFSOI 技術外，聯電的 6 吋晶圓廠聯穎光電還提供化合物半導體砷化鎵 (GaAs) 和氮化鎵 (GaN)，以及射頻濾波器 (RF filters) 技術，可充分滿足市場對射頻前端模組應用的各種需求。

(首圖來源：聯電)