傳美擬限制中國獲取 HBM 技術，HBM2 以上先進記憶體全禁

據彭博社報導，美國考慮最快下個月限制中國取得 AI 記憶體晶片和半導體製造設備。知情人士表示，這項措施是阻止美光、SK 海力士和三星向中國公司供應 HBM 晶片，但強調尚未做出最終決定。

消息人士透露，如果新規定通過，將包括 HBM2 和 HBM3、HBM3E 等更先進晶片，即目前正生產的最頂尖 AI 記憶體晶片，以及製造這些晶片所需的設備。

新限制措施最快 8 月下旬公布，另外包括對 120 多家中國公司的制裁，以及對各種類型晶片設備的新限制，日本、荷蘭和韓國等盟友排除在規定之外。

由於中國政府 2023 年禁止關鍵基礎設施使用美光產品，美光也避免向中國銷售 HBM 產品，因此基本上不會受影響。消息人士透露，目前不確定美國將使用何種權力來限制韓國企業，但其中一種可能是「外國直接產品規則」（FDPR），只要使用美國技術製造，就有機會實施控制，而 SK 海力士和三星都依賴 Cadence 和應材的設計軟體與製造設備。

美國總統拜登（Joe Biden）政府已要求韓國限制向中國出口晶片技術，重點是製造設備，並採取類似美國已實施的管制措施。此外，美國計畫先降低先進 DRAM 記憶體的門檻，做為全面限制 HBM 措施的一部分，而單一 HBM 晶片包含數個 DRAM 模組。

由於三星目前為 NVIDIA 中國版 H20 提供 HBM3 晶片，目前不確定這項措施是否包括高階記憶體晶片與 AI 加速器捆綁在一起出售。

據悉，美國針對 HBM 設備和 DRAM 的新限制措施是為阻止中國記憶體大廠長鑫存儲，該公司已能製造 HBM2 記憶體，並於 2016 年首次投入商用。同時，拜登政府也計劃建立一份清單，列出中國生產半導體所需的關鍵元件，並以更嚴格的 FDPR 標準實施限制。