格棋化合物半導體今（2 日）宣布將於第四季正式興櫃，並將往大尺寸的碳化矽（SiC）布局。董事長張忠傑表示，格棋目前的技術實力已經達到業界第一、第二的水準，同時積極布局更大尺寸的長晶爐，並在研發階段展開相關規畫。
格棋董事長張忠傑強調，6 吋平台現階段仍為公司量產主軸，具備規模效益與良率控制優勢；同時，8 吋晶種長晶與熱場模組設計已完成前期驗證，後續將依據客戶產品世代轉換與應用需求，適時導入 8 吋製程平台，確保良率穩定性與成本效益的最佳平衡。
談到第三類半導體的潛在出海口，格棋化合物半導體業務處處長吳義章指出，碳化矽過去主要應用在功率元件（Power Devices）、車用及儲能相關領域，如今已進入新的發展階段，例如在 AR 智慧眼鏡（AR Lens）的鏡片中，以及高階的 3D IC 封裝，就需要碳化矽做散熱，主要在散熱載板這部分。
吳義章表示，以材料來說，碳化矽的散熱 K 值僅次於鑽石，陶瓷基板的散熱 K 值約 200~230，但碳化矽的散熱 K 值可達到 400、甚至接近 500，對未來資料中心及 AI 高運算需求下，碳化矽將成為比傳統陶瓷更能滿足散熱需求的材料選擇。
在 3D IC 封裝部分，有兩個地方會是 SiC 的機會。吳義章繼續說道，除了剛剛提到的散熱載板，會以「導電型 SiC」為優先進行測試，下一個階段將嘗試矽中介層（Silicon Interposer）是否有望導入 SiC，後者則採用「半絕緣型 SiC」這一類別。
在產能部署方面，格棋預計於 2025 年底將長晶爐數量擴增至百台規模，搭配自主切割與檢測能力，建構可控交期、彈性擴產的完整量產體系。目前產品線已支援多項高功率應用，包括電動車主驅模組、光儲逆變器與 AI 高效伺服器，並陸續進入國際客戶驗證流程。
格棋半導體也透露，目前 6 吋和 8 吋機台已可以調控共用，隨著第四季日韓客戶放量，也跟兩、三間公司洽談 LTA（Long Term Agreement），並積極步局 12 吋廠規劃，順利的話，明年上半年將分別擴充 8 吋和 12 吋產能，而 8 吋產能預期將翻倍。
在供應鏈布局上，格棋則分兩大主軸，一是水平供應鏈，從長晶、晶圓到元件端的供應鏈，都會全力支援客戶；垂直供應鏈則與競爭對手合作，透過提供大尺寸、客製化的種晶進行合作。該公司也表示，透過同業合作、而非打價格戰，並走不同的技術路線，才是格棋的方向。
目前，格棋已同步啟動北美、日本與歐洲等區域合作計畫，未來將依據業務拓展進程設立技術服務據點，提供貼近需求的材料建議與應用支援，加速碳化矽在全球高功率應用的落地進程。
（首圖來源：科技新報）
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