解決 3D 堆疊、高密度異質整合難題，科林研發推出新沉積設備

科林研發（Lam Research）今（10 日）發布突破性沉積設備 VECTOR^® TEOS 3D，解決下世代人工智慧（AI）和高效能運算（HPC）應用所需晶片製造中關鍵的先進封裝難題。

科林研發指出，TEOS 3D 旨在解決 3D 堆疊和高密度異質整合中的關鍵挑戰，採用專有翹曲晶圓片傳送方案、介電沉積創新技術，並借助科林研發 Equipment Intelligence 技術增強監測能力，可實現超厚且均勻的晶片間介電層填充。目前，TEOS 3D 已在全球領先的邏輯晶片和記憶體晶圓廠投入使用。

科林研發全球產品事業群資深副總裁 Sesha Varadarajan 指出，VECTOR TEOS 3D 能沉積業界最厚且無空隙的晶片間介電層填充薄膜，可根據先進晶片堆疊整合方案的高難度需求進行客製化，即便在超高應力、高翹曲的晶圓片也能適用。該方案所提供的差異化原子級創新，能協助晶片製造商突破摩爾定律限制，邁向 AI 時代。

人工智慧的爆炸性成長，推動市場支援日益龐大資料工作負載的新型元件需求。晶片製造商正採用 3D 先進封裝技術，將多個晶片整合到小晶片（Chiplet）架構中，以實現 AI 運算能力。透過將記憶體與處理單元更緊密結合、最佳化電路路徑，小晶片設計可提升處理速度，並在更小的尺寸中整合更高效能。然而，隨著小晶片堆疊高度增加並變得更複雜，一系列的製造新挑戰隨之出現，製程中的應力可能導致晶圓扭曲或翹曲，薄膜中的裂縫與空隙可能引發缺陷並降低良率。

科林研發指出，TEOS 3D 克服先進封裝生產中的多項關鍵挑戰，能精準且可靠地處理厚重、高翹曲的晶圓片。它以奈米級精度在晶片間沉積厚度達 60 微米的專用介電薄膜，且具備沉積厚度超過 100 微米薄膜的擴展能力。這類薄膜提供關鍵的結構、熱力學和機械強度支撐，防止層狀結構剝離等常見封裝失效問題。

此外，TEOS 3D 也搭載了科林研發獨創的翹曲晶圓載盤技術和最佳化的晶圓載盤設計，在處理厚晶圓時能提供卓越穩定性，即便面對極端晶圓翹曲，也能實現均勻的薄膜沉積。

（首圖來源：科林研發）