美光送樣業界最快 HBM4 產品，還與台積電洽談合作 HBM4E 基礎晶片

記憶體代廠美光科技（Micron）近日宣布，DRAM 與 NAND Flash 部門取得多項關鍵進展，特別是在高頻寬記憶體（HBM）領域，不僅帶動強勁的業績成長，更確立了在下一代 HBM 技術上的領導地位。

財報會議時美光總裁暨執行長 Sanjay Mehrotra 強調，積極以下代解決方案提升市場表現。美光已確認出貨業界最快 11Gbps HBM4樣品，同時宣布與台積電合作，共同製造 HBM4E 記憶體的基礎邏輯晶片（base logic die），為未來的尖端運算奠定基礎。

美光明確表示，HBM 市占率穩步成長，有望在 2025 年第三季達到與整體 DRAM 市占率一致的目標。美光重申，其 HBM4 12-Hi DRAM 解決方案進度符合預期，目的在支援客戶平台的加速開發。另外，為滿足市場對 HBM4 頻寬和腳位速度日益成長的需求，美光已生產並出貨了迄今為止最快的 HBM4 解決方案樣品。該產品提供了超過 11 Gbps 的腳位速度與超過 2.8 TB/s 的頻寬。美光相信，這項新產品在性能和效率方面將超越所有競爭對手的 HBM4 產品，提供業界領先的性能和同類最佳的電源效率。

Mehrotra 表示，美光 HBM4 產品的關鍵差異化因素，包括其成熟的 1-gamma (1γ) DRAM 製程、創新且具電源效率的 HBM4 設計、內部開發的先進 CMOS 基礎晶片，以及先進的封裝創新技術。此外，美光目前已將 HBM 客戶群擴大至六家。而展望下一代技術 HBM4E 記憶體，美光預計其將於 2027 年推出。在 HBM4E 的開發上，美光的戰略布局與 HBM 有所不同。雖然 HBM 完全基於美光內部與先進的 CMOS 基礎晶粒設計，但針對 HBM4E 記憶體，美光將選擇與台積電合作，共同製造基層邏輯晶粒。

台積電合作適用 HBM4E 標準產品和客製化產品。美光指出，對於 HBM4E，他們將提供標準產品，同時也允許客戶客製化基層邏輯晶片，而客製化需求高度依賴與客戶之間的緊密協作。美光預期，配備客製化基層邏輯晶粒的 HBM4E 產品，將能比標準 HBM4E 帶來更高的毛利率。

市場供需方面，美光在 HBM 銷售上已取得重要進展。公司與幾乎所有客戶就 2026 年絕大多數 HBM3E 供應簽訂了定價協議。其中，針對 HBM4，美光目前正與客戶積極討論規格和數量。公司預計在未來幾個月內，將能完成協議，以銷售出 2026 年剩餘的總 HBM 供應量。

除了 HBM 領導地位，美光在其他高性能記憶體領域也持續保持領先。美光與輝達（NVIDIA）密切合作，率先在伺服器中推動低功耗 DDR（LPDRAM）的採用。自輝達在其 GB 產品系列中推出 LPDRAM 以來，美光一直是資料中心 LPDRAM 的獨家供應商。

美光 GDDR7 產品也處於有利地位。該記憶體專為提供超高速性能和同類最佳的電源效率而設計，以滿足未來特定 AI 系統的需求。美光預期，GDDR7 未來迭代產品的腳位速度將超過 40 Gbps。美光最初發布的 GDDR7 腳位速度為 32 Gbps，因此超過 40 Gbps 將標誌著約 25% 的速度提升。目前，輝達是唯一在 GPU 中利用 GDDR7的GPU 製造商。

最後，基礎製程方面，美光取得重大成就。其 1γDRAM 節點已在創紀錄的時間內達到成熟的良率，速度比前一代快了 50%。Mehrotra 強調，G9 NAND 的生產進展順利，涵蓋了 TLC 和 QLC NAND Flash 解決方案。而在固態硬碟（SSD）領域，美光是率先將 PCIe Gen6 SSD 推向針對數據中心應用。展望未來，美光將繼續提供更多採用 16Gb 1γDRAM 的解決方案。