俄羅斯公布 EUV 光刻工具藍圖，取代 DUV 技術計畫遭質疑

俄羅斯科學院近日公布了 2026 年至 2037 年的極紫外光（EUV）光刻工具發展藍圖，計劃取代傳統深紫外光（DUV）光刻技術。

該專案核心為開發波長為 11.2 奈米的 EUV 直寫無罩膜光刻系統，採用氙氣等離子體光源及鉑 / 鋇塗層鏡面，相較目前 ASML 13.5 奈米波長設備，俄方目標提供更簡化且成本效益更高的解決方案。

計畫分三階段推進：基礎元件研發、推出支持 200 毫米晶圓的原型機，最終實現 300 毫米晶圓的量產機。2024 年 5 月，首台能製造最大 350 奈米製程晶片的光刻機已成功組裝並進入測試階段，並確立 2026 年進一步支援 130 奈米製程的階段性目標。技術上，俄羅斯研發團隊在光阻劑（尤其是有機矽基光阻劑）的設計與光學元件定制方面同步進行，旨在構建完整的 EUV 光刻生態系統。

然而，專家對此計畫的可行性抱持審慎態度。EUV 光刻技術需龐大資金及深厚技術積累。即使技術強國美日，也難挑戰 ASML 的全球壟斷。俄羅斯是否能在十年內跨過技術與產能門檻，仍待觀察。

此次突破展示了俄羅斯在半導體自主化方面的決心，並有望衝擊全球光刻技術格局。若成功，將促使多國光刻技術路線多元化，包括電子束微影、X 射線光刻等，全球產業或將迎來更多競爭與創新。