韓媒：SK 海力士明年 DRAM 產能將擴至 62 萬片，直追三星

SK 海力士計劃在明年下半年將 DRAM 月產能提升至逾 60 萬片，業界推估年底可望達約 62 萬片，直逼三星 60 多萬片的水準。此舉主要受輝達、Google 等對高頻寬記憶體（HBM）的強勁需求，顯示 DRAM 市場正迎來新一輪競爭。

根據韓媒報導，SK 海力士位於清州的新廠「M15X」將於 2026 年上半年啟用，初期月投片量約 1 萬片，並在 2026 年第四季逐步拉升至 5 萬片。以 2023 年每月 30 多萬片為基準，三年間產能幾乎翻倍。

值得注意的是，目前約有三成 DRAM 產能投入 HBM 生產，隨著堆疊層數持續增加，HBM 對產能的消耗效應將更加顯著。業界預估，到 2027 年，SK 海力士可能有多達四成 DRAM 產能專用於 HBM，進一步推升 DRAM 價格。

三星電子同樣加快腳步，擴產重心放在平澤 P4 廠，並已下大規模設備訂單。隨著 HBM4 開發推進及 DRAM 價格回升，市場預期三星有望成為輝達 HBM4 的第二供應商。

至於 NAND，SK 海力士明年將維持謹慎策略，以製程轉換為主，整體投片量預計較今年減少。雖然企業級 SSD（eSSD）需求逐步回溫，但行動應用尚未明顯復甦，加上日本鎧俠（Kioxia）等競爭者計劃擴產，市場價格反彈的力道仍不穩定。

業界人士指出，目前 NAND 毛利率遠低於 DRAM，在廠房資源有限的情況下，廠商自然會優先投入 DRAM。不過，他也補充，若未來有新應用帶動高階 NAND 需求，NAND 投資策略仍可能出現調整。

隨著 AI 加速對 HBM 的需求不斷擴大，DRAM 投資正快速拉升。而 NAND 雖短期趨於保守，但市場亦關注是否會因新興技術帶動而迎來轉機。特別是被稱為「第二個 HBM」的高頻寬快閃記憶體（High Bandwidth Flash，HBF），有望與 HBM 並列成為 AI 加速器的核心配置，補足容量並兼顧成本效益。