Q3 財報優於預期！三星明年開始量產 HBM4，本季啟動 2 奈米量產

三星計劃自 2026 年起開始生產下一代 HBM4 記憶體、24Gb GDDR7 DRAM，以及 128GB 以上的記憶體產品。

根據該公司 2025 年第三季財報，合併營收季增 15.4% 達到 86.1 兆韓圜，其中記憶體事業創單季歷史新高，主要動能來自 AI 熱潮帶動的 HBM3E 記憶體與伺服器 SSD 強勁需求；設備體驗（DX）事業部營收季增 11%，主要受惠於新款摺疊式螢幕手機的成功上市及旗艦機型的穩健銷售。

三星表示，第四季三星記憶體事業將積極以 HBM3E、高密度 eSSD 及其他先進記憶體產品，回應 AI 與傳統伺服器市場的強勁需求。展望 2026 年，三星記憶體事業將聚焦於具差異化效能的 HBM4 產品量產，並同步擴大 HBM 銷售基盤，預期 HBM4 的市場需求將持續上升。

三星近期首度展示新一代 HBM4 記憶體解決方案，單顆晶片速度可達11 Gbps，有望成為 NVIDIA 與 AMD 最新產品的潛在解決方案。據悉，三星很可能已向這些 AI 晶片製造商寄送 HBM 解決方案樣品，以進行進一步評估與認證測試。

此外，三星亦計劃在於 2026 年穩定供應 2 奈米 GAA 晶片及 HBM4 基礎晶片。該製程技術預計將應用於下一代 Exynos SoC 及高通驍龍 SoC 的生產，並將於本季進入量產階段。該公司表示，到 2026 年，晶圓代工事業將專注於穩定供應新一代 2 奈米 GAA 製程產品與 HBM4 基礎晶片（base-die），並確保位於美國德州泰勒市的新晶圓廠能如期啟用運營。