記憶體業明年資本支出仍保守,TrendForce:供不應求延續至 2026 全年

作者 | 發布日期 2025 年 11 月 14 日 12:40 | 分類 半導體 , 國際觀察 , 記憶體 line share Linkedin share follow us in feedly line share
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記憶體業明年資本支出仍保守,TrendForce:供不應求延續至 2026 全年

近期記憶體市場價格狂飆,但從近期消息來看,記憶體製造商預計不會大幅增加標準記憶體的產量,以滿足 AI 產業的需求。研調機構 TrendForce 調查,記憶體廠商正限制在擴充產能上的資本支出,轉而專注於製程技術研發、透過堆疊提升晶片密度,以及生產利潤更高的高頻寬記憶體(HBM)。

目前美光、SK 海力士與三星預期將投入 540 億美元的資本支出,但重點放在提升 AI 晶片用 HBM 模組的效能上,因此儘管 DRAM 產業的投資年增 14%,現有的記憶體晶片產量仍不會增加。

外媒 Tom’s Hardware 推測,缺貨現象恐延續至明年、甚至延續至 2027 年。專家認為,由於 AI 晶片需求龐大、基礎設施建設持續推進,價格高漲的局面可能長達十年。

TrendForce 指出,DRAM 產業的資本支出在 2025 年預計將達到 537 億美元,預計 2026 年進一步成長至 613 億美元,年增率達 14%NAND Flash 部分,資本支出在 2025 年預計為 211 億美元,2026 年預計小幅增長至 222 億美元,年增約 5%

TrendForce 預期,隨著記憶體平均銷售價格(ASP)持續提升,供應商獲利也增加,在這情況下,DRAM NAND Flash 後續的資本支出也將持續上漲,但對 2026 年的產出成長挹注有限,並預期 NAND Flash 供不應求的狀況會延續至 2026 全年。

雖然目前市場對記憶體與儲存晶片的需求強勁,但從業界說法來看,目前 AI 市場已經存在泡沫,分析師則認為,若要將所有基礎設施投資合理化,每年營收至少需達到 6,500 億美元。

記憶體晶片製造商對於投入數十億美元建設新產線仍持謹慎態度,若需求不如預期,可能造成數十億美元的投資落空。即便現在建設新廠,也至少要數年時間才能完全運作,因此記憶體廠商更傾向將資本支出集中在回報率更高、效率更佳的技術上,如改造現有 DRAM 產線,而非新建產線,但代價是消費者用的記憶體模組產量將會減少。

(首圖來源:Freepik

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