三星電子全面啟動下一代 DRAM 擴產計畫。韓媒《ET News》報導,三星預計在明年底前將 10 奈米級第六代 DRAM(1c DRAM)月產能擴大至 20 萬片,遠高於目前既有規模。
根據規劃,三星將在今年第 4 季先達到月產 6 萬片,明年第 2 季再新增 8 萬片,並於明年第 4 季進一步擴增 6 萬片,整體月產能達到 20 萬片。相關時程以設備完成建置為基準,目標是於各階段具備立即量產條件。知情人士指出:「三星將在明年底前持續強化 1c DRAM 的供給能力,意在提前卡位下一代市場。」
1c DRAM 做為最新世代產品,線寬低於 11 奈米,並搭載多層 EUV 製程,屬於三星近年主攻的高階記憶體。此次擴充讓 1c DRAM 產能單獨達到三星整體 DRAM 月產能(65~70 萬片)約三分之一的規模,甚至超越三星 2022 年半導體景氣高峰期所新增的 13 萬片擴建量。業界推估,三星將透過既有產線製程轉換,加上平澤 P4 新廠投資,完成上述擴產。
由於 AI 推升 DRAM 需求全面走強,不僅 HBM 供應吃緊,連一般 DRAM 也呈現缺貨,甚至出現「提前下單尚未生產的貨」的搶料情況。三星成功開發 1c DRAM 後,因此決定加大投入,以具競爭力的產品組合在下一波 DRAM 週期中搶占定價權。
近期三星宣布未來五年將投入 4,500 兆韓元於先進製程與產能建置,強調 AI 時代已大幅推升記憶體中長期需求,需提前布局產線以因應市場變化。外界也關注,隨著 1c DRAM 量產規模擴大,三星是否能在下一輪需求週期中重新提升 DRAM 市場占比,縮小與 SK 海力士之間的差距。
(首圖來源:Samsung)






