AI 伺服器需求爆發！TEL 看好 HBM 蝕刻設備迎超級週期

隨著記憶體價格持續飆升，市場預期將帶動 AI 伺服器記憶體產能大幅擴張，晶片製造設備大廠東京威力科創（TEL）可望受惠於創紀錄的資本支出與研發投資浪潮。

從去年開始記憶體市場明顯升溫，基礎 DRAM 現貨價格較一年前暴漲約十倍。東京威力科創社長河合利樹（Toshiki Kawai）坦言，「我們可能正進入一個長期的超級週期」，他預期記憶體製造商將從今年開始購買晶片製造設備，以應對這股需求。

東京威力科創的蝕刻設備主要用於在晶圓上精密形成電路結構。隨著 HBM 採用多層堆疊的 DRAM 架構，層數隨著效能需求不斷攀升，因此晶片間的互連製程變更複雜，需要的加工步驟也隨之增加。

東京威力科創指出，HBM 技術演進將明顯推升相關蝕刻與製程設備的需求動能。

在截至去年三月這一財年中，東京威力科創已售出數千億日圓規模的 DRAM 互連蝕刻設備，力拚至 2030 財年累計相關設備銷售額達 5,000 億日圓。

同時，隨著 DRAM 晶片微縮化，儲存電荷的電容器變得更薄、更長，使生產難度增加。河合利樹表示，在蝕刻電容深垂直孔時，控制速度與形狀的技術非常重要，這正是東京威力科創的專長所在。

為了搶攻這波記憶體需求帶動的超級週期，東京威力科創持續加碼投資，目前已經在日本完成新的研發設施以及生產與物流中心。

根據日經引述 QUICK FactSet 數據，顯示東京威力科創的利潤是研發成本的 5.5 倍，比美國競爭對手科林研發（Lam Research）與應用材料（Applied Materials）的 4.5 倍與 4 倍還高。

從摩根士丹利、三菱日聯金融集團（MUFG）證券資料顯示，過去十年科林研發一直領先全球蝕刻設備市場，市占率約 40% 至 50%；東京威力科創位居第二，市占率 20% 至 30%。IwaiCosmo 證券資深分析師表示，如果東京威力科創能逐步侵蝕科林研發的優勢，哪怕只取得幾個百分點的市場份額，也將對其營收貢獻甚大。