韓媒：三星正開發 2 奈米客製化 HBM 邏輯晶片

韓媒 ZDNet 報導下午揭露三星半導體另一項備受關注的 2 奈米專案初步細節。業界人士指出，三星 HBM 研發團隊正為不同產品需求量身打造客製化邏輯晶粒。

市場傳出，三星記憶體研發部門已為下一代 HBM 設計，選擇先進至 2 奈米等級的晶圓代工製程節點。不過，目前未說明工程團隊是否採用自家晶圓代工部門的 SF2 或 SF2P 製程。

據悉，三星第六代 HBM 產品線（又稱 HBM4）將採 4 奈米製程，可能來自 SF4 系列。內部人士透露，三星正在由去年於系統 LSI（System LSI）事業部新成立的客製化 SoC 團隊主導，為 HBM 設計客製化邏輯晶粒，公司正建構從 4 奈米到 2 奈米的產品組合，以回應不同客戶的需求。

報導也指出，下一代超高效能 AI 加速器，預期將依賴最先進、最具未來性的 HBM 模組。隨著 2 奈米邏輯晶粒逐步成熟，AI 企業級市場需求可望顯著升溫，時間點可能落在 2027 年之後、即第七代 HBM4E 問世之後。