HBM4 之後誰撐起下世代？TC bonder 成 AI 記憶體技術核心

綜合外電報導，隨著 AI 算力需求持續攀升，高頻寬記憶體（HBM）技術正加速世代演進。在 HBM4 即將進入量產之際，產業已同步推進下一代 HBM5 與 HBM6 開發，帶動先進封裝設備需求升溫，其中熱壓鍵合設備（TC bonder）。

韓國半導體設備廠 Hanmi Semiconductor 近期展示新一代 Wide TC Bonder，鎖定 HBM4 以後世代應用。相較先前 Hybrid Bonder 面臨技術瓶頸並影響時程，新型 TC bonder 透過高精度熱壓鍵合與無助焊劑接合技術，可提升堆疊良率、降低氧化層影響，並進一步縮減整體封裝厚度。

TC bonder 屬於先進封裝關鍵設備，主要用於將多顆晶片在高溫與壓力條件下精準接合。隨著 HBM 採用 16 層以上垂直堆疊架構並持續向更高層數邁進，相關設備需求快速升溫。

業界觀察指出，自 HBM 啟動高速成長以來，TC bonder 市場競爭亦同步加劇，包括 Besi、ASMPT 與 Hanmi Semiconductor 均已宣布擴大相關布局。

另外，HBM5 預計將單堆疊頻寬提升至約 4TB/s、容量達 80GB，並鎖定 2029 年後的新一代 AI GPU 平台；HBM6 則可望再將頻寬翻倍至 8TB/s、容量上看 100GB 以上，同時導入更高層數堆疊與新型中介層架構。