在 SPIE Advanced Lithography + Patterning Conference 上，imec 公布研究指出，若在 EUV 曝光後烘烤（Post-Exposure Bake, PEB）階段提高氧氣濃度，進而降低曝光劑量並提升 EUV 掃描機產能。
研究顯示，當曝光後烘烤環境中的氧氣濃度由大氣標準的 21% 提升至 50%，可使金屬氧化物光阻劑（metal-oxide resist, MOR）的感光速度（photo-speed）提升 15–20%。
無論是實驗模型 MOR 光阻劑或商用 MOR 光阻劑材料，都呈現一致的提升趨勢。由於 EUV 機台的處理效率與單片晶圓所需曝光劑量密切相關，劑量下降代表可在相同時間內完成更多曝光作業，對先進製程成本與產能利用率具有直接意義。
金屬氧化物光阻劑近年被視為 High NA EUV 微影的重要候選材料。相較傳統化學放大型光阻劑（chemically amplified resist, CAR），MOR 光阻劑具備更高解析度、更低線邊粗糙度，以及更佳劑量對尺寸表現，特別適合用於高解析度金屬層與薄膜光阻劑應用場景。隨著 High NA EUV 邁入量產階段，如何在維持圖形品質的同時提升曝光效率，成為製程優化關鍵。
此次成果來自 imec 開發的 BEFORCE 研究工具。該設備可在晶圓由真空曝光環境轉移至曝光後烘烤單元期間，使製程不受無塵室空氣條件影響，並透過氣體注入與混合系統精準控制烘烤環境的氣體組成，使研究團隊得以量化氧氣濃度對 MOR 光阻劑劑量響應的影響。
imec 表示，目前正透過整合式傅立葉紅外轉換光譜（Fourier-transform infrared spectroscopy，FTIR）分析曝光後烘烤過程中的化學變化，以釐清氣體環境如何影響光阻劑內部反應機制。若能建立更完整的化學模型，未來將有助於設備與材料同步優化，提升 EUV 微影的穩定度與經濟效益。
（圖片來源：Imec）
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