韓國 8 吋純晶圓代工廠（Foundry）SK keyfoundry 宣布，公司近期已完成 SiC（碳化矽）平面 MOSFET 製程平台的開發。目前，該平台在新一代化合物功率半導體市場中深受青睞。此外，公司也透露已獲得一家新客戶的 1,200 V SiC MOSFET 產品開發訂單，其全面啟動 SiC 化合物半導體代工業務。
SK keyfoundry 推出的全新 SiC 平面 MOSFET 製程平台支援 450 V 到 2,300 V 的寬電壓範圍。該平台已在高壓工作環境下獲得了高可靠性與穩定性資料，證明了其卓越效能。此外，透過全面優化製程流程並實現對核心製程的精準管控，公司已將產品良率提升至 90% 以上，同時提高了生產效率。SK keyfoundry 還表示，公司提供差異化的「客製化製程支援服務」，能夠根據客戶的特定需求微調電氣特性與規格。
在該製程平台開發完成後，SK keyfoundry 已獲得一家專注於 SiC 設計的客戶之 1,200 V 高壓產品訂單，並啟動了產品開發工作。該製程將應用於客戶的工業設備，在熱管理方面發揮關鍵作用。完成樣品評估和可靠性驗證後，公司計劃於 2027 年上半年啟動全面量產。
此次 SiC 平面 MOSFET 製程平台的開發，是 SK keyfoundry 購併 SiC 專業公司 SK powertech 後，整合雙方核心能力的首個成果。技術研發完成後隨即獲得實際客戶訂單，也印證了該平台已跨越技術驗證階段，具備了可立即投入商業化的成熟度與競爭力。
SK keyfoundry 執行長 Derek D. Lee 表示：「SiC 平面 MOSFET 製程平台的開發，標誌著 SK keyfoundry 已在全球化合物半導體市場確立了獨立的技術領導地位。依託我們兼具高良率與高可靠性的差異化製程，我們將持續拓展高壓功率半導體解決方案，以滿足國內外客戶的需求。」
關於 SK keyfoundry
SK keyfoundry 總部位於韓國，為半導體公司提供專業的類比與混合訊號代工服務，產品廣泛應用於消費電子、傳訊、運算、汽車及工業等多個領域。憑藉廣泛的技術組合及製程節點，SK keyfoundry 能夠靈活應對全球半導體企業不斷演變的需求。欲了解更多資訊，請訪問 https://www.skkeyfoundry.com。
（本文由 PR Newswire 授權轉載；首圖來源：shutterstock）
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