800V 還不夠看，東芝研發 1200V SiC 功率元件 |
作者
蘇 子芸|發布日期
2026 年 05 月 25 日 11:33 |
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隨 AI 資料中心功耗快速攀升，HVDC 供電架構正加速導入，也讓功率半導體需求持續升溫。東芝近日宣布，推出新一代 1200V SiC MOSFET「TW007D120E」，鎖定 AI 資料中心電源與再生能源設備市場，並已開始出貨測試樣品。 繼續閱讀..
SK keyfoundry 成功開發 450V-2300V SiC 平面 MOSFET 製程平台，斬獲 1200V 新品訂單，正式開啟 SiC 業務全面布局 |
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作者
PR Newswire|發布日期
2026 年 03 月 13 日 14:00 |
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韓國 8 吋純晶圓代工廠（Foundry）SK keyfoundry 宣布，公司近期已完成 SiC（碳化矽）平面 MOSFET 製程平台的開發。目前，該平台在新一代化合物功率半導體市場中深受青睞。此外，公司也透露已獲得一家新客戶的 1,200 V SiC MOSFET 產品開發訂單，其全面啟動 SiC 化合物半導體代工業務。
