東芝新 12 吋功率半導體工廠完工,MOSFET 和 IGBT 產能提升 2.5 倍

作者 | 發布日期 2024 年 05 月 24 日 11:20 | 分類 半導體 , 晶圓 , 晶片 line share follow us in feedly line share
東芝新 12 吋功率半導體工廠完工,MOSFET 和 IGBT 產能提升 2.5 倍


日本東芝電子元件及存儲裝置株式會社 (TOSHIBA) 於 5 月 23 日正式宣布,旗下的 12 吋晶圓功率半導體製造工廠和辦公大樓完工。

東芝在新聞稿中表示,現階段正在進行安裝相關設備,力拼能在 2024 財年的下半年開始量產。一旦工程完工進入全面量產階段,以生產 MOSFET 和 IGBT 為主的東芝功率半導體的產能,預計將是 2021 財年訂定投資計畫當下的 2.5 倍規模。至於,接下來的第二期建設和開始運營時程,則將根據市場情況再進一步進行決定。

東芝表示,新製造工廠具有吸收地震衝擊的隔震結構和電源供應功能,該製造工廠將遵循東芝的業務連續性計畫 (BCP),並將為東芝的業務連續性計畫做出重大貢獻。而在整體工廠投入量產之後,透過可再生能源和建築物屋頂太陽能電池板的能源,將可以讓該設施能夠通過可再生能源滿足 100% 的電力要求。

(首圖來源:東芝)