如果把「獨立製造半導體」定義成：在先進半導體全供應鏈不依賴外國的 EDA（電子設計自動化）、IP、設備、材料、晶圓製造、先進封裝與量產體系，美國和中國到 2030 年前後，都不太可能做到。若把目標改成「本土或可控體系內，穩定供應國安、AI 與核心工業主要晶片」，兩國都在逼近，但走的是完全不同的路。
先進產線動輒需要超過 3,000 台工具，而最先進 EUV 曝光機約有 10 萬個零組件、牽涉 5,000 家供應商；更麻煩的是，產業前沿還在往 High-NA EUV、先進封裝與更複雜的異質整合前進。OECD 評估過半導體產業鏈高度複雜、全球分散、彼此緊密連動，許多關鍵投入集中少數地區；換句話說，今天的半導體本質上就是跨國工業網路，而不是單一國家工業。
美國「戰略足夠」，但不可能完全自給
美國的真正優勢是它同時握有設計、EDA、IP、生態系標準、研究能力、資本市場、政策工具。美國 CHIPS 計畫相關資料顯示，目前美國已與五家主要先進製程企業都建立投資布局；GAO 也預估，美國在全球先進邏輯產能的占比，可能從 2022 年 0 回升到 2030 年 20%。這代表美國確實有機會把部分最先進製造能力重新拉回本土。
但這不等於美國可以完全獨立。第一，最先進 EUV 曝光設備仍只有 ASML 能商業化供應，連英特爾 High-NA EUV 也必須依賴 ASML。第二，美國近年的本土擴產，很大部分其實是把盟友企業的產能搬到美國境內，例如台積電亞利桑那量產 4 奈米，且後續還要推進 3 奈米與更先進節點，但這不是一條百分之百美國本土企業、本土設備、本土材料組成的本地供應鏈。第三，台積電自己也談過，美國建廠時間較台灣長、供應鏈成熟度較低、部分化學品成本更高，說明地理搬移不等於立刻複製原本的效率與密度。
所以從現實層面來看：美國較可能做到關鍵先進晶片能在美國境內，或在美國可控的盟友體系內取得，尤其是國防、AI 與資料中心這類高戰略價值領域；但若定義成從設備、材料到製造、封裝都不依賴外國，那不是美國現在能達成的路線。美國更像是在追求「盟友整合型自主」，不是「孤立型自主」。
中國成熟製程接近自主，先進製程難突破
中國路線則幾乎相反，不只追求供應安全，而是更接近「被封鎖時仍能繼續運轉」。中國優勢在龐大的本土市場、強硬政策動員、願意為自主付出更高成本，以及成熟製程的大規模擴產。路透引述產業資料指出，中國 2024 年占全球晶圓廠設備支出的 40%、金額約 410 億美元（也有部分機構認為是 500 億美元）；到 2025 年底，中國 28 奈米以上成熟製程全球產能比重約達 33%。這代表中國「夠用、便宜、量大」這一段，已非常接近高度國產化。
而且中國不只蓋廠，也在補強設備環節，中國政府要求新建產能至少 50% 採國產設備，長期目標還要再提高；在蝕刻、清洗、去光阻等環節，中國本土設備已經有明顯進展，北方華創、AMEC等企業都在快速成長。從政策決心看，中國可能是兩個大國之中，更願意為供應鏈自主犧牲效率的一方。
但 ASML 仍是全球唯一能商業供應最先進 EUV 的公司，中國從未拿到 EUV 機台；中國本土 SMEE 現階段商用光刻能力仍只到 90 奈米左右。IDC 的研究指出，中國在 7 奈米以下先進設備的自給率還不到 10%。加上 EDA 仍是中國痛點，美國出口管制曾經直接鎖定 Synopsys、Cadence、Siemens EDA 等工具，因此中國雖能在受限條件下做出部分先進晶片，但更像是用更高成本、更多工序逼近，而不是能建立一條穩定、完全自主、可大規模複製的前線生產體系。
中國也不是完全沒有突破空間──中國 EUV 原型機已在 2025 年初完成並進入測試，代表它不是停在紙上談兵，但在這個階段來說，達成困難的部分不是只有曝光，而是蔡司等級的超高精度光學、整機整合、材料、電子氣體、EDA 完整配套。這表示中國未來較可能出現的情境不是全面追平，而是在某些領域做到可用，但成本、良率、規模與可持續性，仍與全球最前線有代差。
最後形成半導體兩大體系
若把問題拉高到地緣政治層次，或許真正會成形的，不是「美國完全獨立」或「中國完全獨立」，而是兩種不同型態的半導體體系。美國的做法，是把高階供應鏈變成自己主導的可控網路，用補貼、投資與出口管制，把關鍵環節留在自己和盟友手上；中國的做法，則是用國家動員把弱點縮到能承受制裁的程度，先穩住成熟製程大盤，再往部分先進節點和設備國產化推進。
從供應鏈發展看，21 世紀半導體產業更像會走向「分裂的全球化」，而不是任何一個超級大國重新回到全能式、單一國家完成一切的工業帝國。
（首圖來源：shutterstock）
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