結合 III-V 族半導體和手性鹵化物鈣鈦礦,美國國家再生能源實驗室(NREL)科學家開發出一種新的自旋控制 LED,控制電子自旋在室溫下發射偏振光,可能徹底改變光電領域。
當今多數光電設備都是基於控制電荷,但多數人忘記了另一個也能控制以提高光電設備性能效率的參數:電子自旋。
自旋控制 LED 是一種利用自旋電子學原理操控 LED(發光二極體)發光特性的技術,透過改變電子自旋狀態來調整光的發射,從而實現更高效光源或顯示成果。
2021 年,美國國家再生能源實驗室(NREL)研究人員發表過一篇論文,解釋如何使用兩個鈣鈦礦層建立阻止電子向錯誤方向「旋轉」的過濾器,製造出一種新型偏振發光二極體控制電子自旋,該二極體能在室溫下發射自旋控制的光子,不需經過磁場或鐵磁接觸,而當時研究取得的突破還包括消除零下低溫需求,提高資料處理速度並減少耗電量。
最近,研究團隊再成功整合 III-V 半導體光電結構與手性鹵化物鈣鈦礦半導體,或者說將現有商業化 LED 改造成也能控制電子自旋的 LED。
提高光電轉換效率
手性是指材料結構不能與其鏡像疊加,比如「左手」取向的手性系統能允許「向上」自旋的電子傳輸,但會阻止「向下」自旋的電子,反之亦然。由於手性結構可調控光的偏振性,利用手性鈣鈦礦,電子自旋被轉換為發射光的自旋或偏振,研究人員便能將 LED 轉變為在室溫且無磁場情況下發射偏振光的 LED。
先前測得的光偏振度達約 2.6%,現在,藉由添加由元素週期表第三列、第五列材料製成的 III-V 族半導體(如砷化鎵、磷化銦),團隊將極化率提高至約 15%,偏振度可直接測量 LED 中的自旋累積。
從 LED 顯示器、太陽能電池到雷射光學元件,新研究將為許多現代光電設備提供新轉型途徑,結合手性鈣鈦礦的光吸收特性與 III-V 族半導體高效能,將提升整體設備光電轉換效率。
此外,手性鈣鈦礦製備成本相對較低,與 III-V 族半導體結合可能降低整體設備生產成本。
新論文發表在《自然》(Nature)期刊。
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