為千層 3D NAND Flash 做準備，科林推新低溫介質蝕刻

半導體設備大廠科林研發 Lam Research 宣布，推出 3D NAND Flash 快閃記憶體第三代低溫介質蝕刻 Lam Cyro 3.0，全球產品部高級副總裁 Sesha Varadarajan 表示 Lam Cryo 3.0 能實現千層堆疊 3D NAND Flash。

科林低溫蝕刻用於超過 500 萬片晶圓生產，最新技術更是 3D NAND Flash 重大技術突破。Lam Cyro 3.0 能以埃米級精準度創建高深寬比（High Aspect Ratio）圖形特徵，降低環境影響，蝕刻速度是傳統介電兩倍多。

Lam Cryo 3.0 幫客戶克服 AI 時代關鍵 NAND Flash 製造障礙，3D NAND Flash 需從元件頂部至底部細長垂直孔道連接各層儲存單元，孔道構建時即使圖形特徵與目標輪廓僅原子級輕微誤差，也可能對產品電氣性能產生負面影響，可能影響良率。

為了解決問題，科林 Lam Cryo 3.0 結合高能密閉式等離子反應器、遠低於 0℃ 溫度、新化學蝕刻物質，可蝕刻出深寬比達 50:1、深度達 10μm 的通道，從頂到底特徵關鍵尺寸偏差不到 0.1%。Lam Cryo 3.0 蝕刻速度是傳統介電 2.5 倍，能耗降低 40%，排放量更減少 90%，為接下來高層數堆疊如千層堆疊 3D NAND Flash 準備優秀解決方案。

(首圖來源：科林研發)