台積電在歐洲開放創新平台（OIP）生態系統論壇宣布，如期 2026 年底量產 A16（1.6 奈米級）製程首批晶片。
外媒 Tom′s Hardware 報導，新製程採台積電獨家「超級電軌」（Super Power Rail，SPR）晶片背面供電（BSPDN），實現增強的電源傳輸及更高的電晶體密度。不過 BSPDN 解決某些挑戰的同時，也增加其他挑戰，因此需要更多設計工作。
台積電 A16 製程採 GAAFET 架構，與 N2 系列製程類似，並含背面電源軌道，以加強電源傳輸並提高電晶體密度。相比 N2P 製程，A16 預期相同電壓與複雜度下可提升 8%~10% 效能；相同頻率與電晶體數量下可降低 15%~20% 功耗；晶片密度提升 1.07~1.10 倍。
台積電設計解決方案探索與技術基準部門主管 Ken Wang 表示，N2P 到 A16 的邏輯布局轉換相當直接，因為單元結構和大部分的布局模式大都相同，除了保持相同的正面結構外，A16 優點在於繼承 N2 裝置寬度調變的 NanoFlex 功能，以實現最大的驅動強度。
台積電「超級電軌」技術透過專門的接觸點，將背面電源傳輸網路直接連接至每個電晶體的源極與汲極，將導線長度與電阻降至最低，達到最高效能與電源效率。從生產角度來看，這是實作是最複雜的 BSPDN 設計之一，其複雜度超越英特爾的 Power Via 技術。
這代表晶片設計人員必須重新設計電源傳輸網路，以新方式佈線，從而應用新布局佈線策略，另外須進行散熱緩解，因晶片熱點將位於一組導線下方，增加散熱難度。
Ken Wang 指出，新方法涉及新熱感應佈線軟體、新時脈樹構造、不同 IR-Drop 分析、不同電壓分布（dissimilar power domains），以及不同熱分析簽核等。這都需要新版 EDA 工具和模擬軟體。
（首圖來源：shutterstock）
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