Tag Archives: 背面供電

台積電 2 奈米進展加速，傳高雄廠年底進機

作者 MoneyDJ|發布日期 2024 年 04 月 12 日 12:15 |

分類半導體 , 國際貿易 , 晶片

晶圓代工龍頭台積電日前宣布將在美國建置 2 奈米產線，外界也持續關注台灣擴產進度。繼續閱讀..

英特爾新製程布局的葫蘆藏著什麼藥？

作者痴漢水球|發布日期 2024 年 03 月 18 日 8:10 |

分類 IC 設計 , 半導體 , 晶片

當英特爾現任執行長 Pat Gelsinger 走馬上任，正面臨全球最大半導體廠商前所未見的困境：2010 年代一連串錯綜複雜的失策與延誤，10 奈米慘遭滑鐵盧，英特爾失去先進製程與封裝的領導地位，更落後台積電和三星長達三至四年光陰。繼續閱讀..

英特爾宣布完成 PowerVia 背面供電發展，領先業界推出

作者 Atkinson|發布日期 2023 年 12 月 11 日 7:00 |

分類 IC 設計 , 半導體 , 晶片

英特爾 (Intel) 日前在 IEDM 2023 宣布完成業界領先、具突破性的 3D 堆疊 CMOS 電晶體，並結合背面供電和背面觸點等技術。

全球投資比台積電更積極，英特爾亮大絕招使三星壓力倍增

作者 Atkinson|發布日期 2023 年 06 月 27 日 9:00 |

分類 IC 設計 , 公司治理 , 半導體

為重返晶片製造領導地位，英特爾來勢洶洶。日前英特爾宣布拆分晶圓代工業務，目標是 2030 年前成為第二大晶圓代工廠，故最近投資相當積極，無論技術面「4 年五製程節點」，還是 2030 年前達成單封裝整合上兆電晶體，都必須有產能與技術支援。以下整理英特爾晶圓代工產能與技術規劃。