台積電落後一年？英特爾稱 18A 製程已準備好

英特爾近日宣布，其 18A 製程節點（1.8 奈米）已經準備就緒，並計畫在今年上半年開始設計定案。該製程將導入多項先進半導體技術，有望領先台積電即將推出的 2nm N2 製程，後者預計將於 2026 年上市。

市場有人聲稱，英特爾的 18A 製程將會是世上首個小於 2 奈米的製程，這也讓台積電製程技術落後英特爾一年。

$INTC 18A is now ready 🔥🔥

Effectively pulled in by 6 months

Customer tape outs were initially planned for 2H25. But have now been pulled in to 1H25. This shows incredible health

Note – this is the world’s first <2nm process. $TSM is a year behind.

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— Mojo (@Mojo_flyin) February 21, 2025

18A  製程相較於英特爾 3 製程，可將晶片密度提升 30%，並提高每瓦性能約 15%。英特爾計畫將 18A 製程應用於即將推出的 Panther Lake 筆電處理器 與 Clearwater Forest 伺服器 CPU，這兩款產品預計將於年底前上市。

18A 製程的一大突破是 PowerVia 背面供電技術。該技術透過將粗間距金屬層與凸塊移至晶片背面，並採用奈米級矽穿孔（through-silicon vias，TSV），以提高供電效率。英特爾表示，這項技術可提升 ISO 功耗效能 4%，並增加標準單元利用率 5% 至 10%。

另一項關鍵技術是 RibbonFET，這是英特爾的全柵極電晶體（GAA）設計。與傳統鰭式場效電晶體（FinFET）相比，RibbonFET 可更精細地控制電流流動，並有效降低功耗與漏電，這對於高密度、小型化的晶片來說尤為重要。

台積電也計畫在其 2nm N2 製程採用 GAA 設計，但相關量產預計要到 2025 年底才開始，首批採用 N2 的消費級產品預計最早在 2026 年中推出。此外，台積電計畫在 A16 製程（2026 年推出） 中導入背面供電技術，與英特爾 18A 的技術路線相似、但時程較晚。

近期有報告比較英特爾 18A 與台積電 N2 製程，結果顯示英特爾的 18A 可能在性能方面占優勢，而台積電的 N2 則具有更高的晶片密度。

過去幾年，英特爾在製程技術上落後於台積電和三星，但 18A 製程有望讓英特爾在特定領域超越競爭對手，並搶先進入市場。如果 18A 能夠成功量產，不僅將提升英特爾的晶圓代工業務競爭力，還可能改變目前半導體市場的競爭格局。

但一說到英特爾，外界大多會想到近年來該公司面臨重大財務壓力，英特爾在 2024 年的財務報告中顯示虧損了 130 億美元，而台積電則有高達 410 億美元的營業利潤。由於英特爾連年虧損，市場上關於該公司可能進行業務拆分或出售部分代工業務的猜測不斷增加。

此外，美國政府近年來加強對當地晶片供應鏈的關注度，也有觀點認為台積電可能在穩定英特爾的晶圓代工業務中發揮一定作用。隨著美國政府推動半導體本土化，英特爾 18A 製程的成敗，將成為美國半導體產業競爭力的重要指標。

（首圖來源：英特爾官網）