矽功率 MOSFET 技術突破，導通電阻降 2.7 倍

美國功率半導體新創 iDEAL Semiconductor 宣布，其超高效率 SuperQ™ 矽功率元件已正式在 Polar Semiconductor 投產，為美國本土供應鏈注入新動能。

SuperQ 是矽 MOSFET 架構的重大突破，首次採用專利不對稱 RESURF 結構，這種設計能讓 MOSFET 在高電壓下均勻分散電場，避免能量集中造成損耗，因此能在保持高耐壓的同時，大幅降低導通電阻與切換損耗。

根據官方新聞稿，導通電阻相較傳統矽降低最高 2.7 倍，切換損耗減少 2.1 倍。目前，首批 150V 與 200V 產品已進入量產，後續將擴展至 300V 與 400V 應用。Polar 也正擴建明尼蘇達州的 200mm 晶圓廠，以支援美國本土需求。

功率半導體是支撐電動車馬達、AI 資料中心伺服器、再生能源電網的關鍵元件，因具備承受高電壓與大電流的特性，能有效控制與轉換電能。然而，全球市場長期由歐洲（Infineon、STMicroelectronics）與日本（ROHM、富士電機）等廠商主導，美國在製造端相對薄弱，產能有限。

隨著 AI 資料中心與電動車持續推升用電需求，美國能源部（EIA）預估 2030 年資料中心耗電量將占全美發電總量的 10%。因此，更高效的功率半導體能直接降低能耗與散熱成本。同時，這項合作也契合川普政府推動的相關政策，強化美國本土供應鏈韌性，並降低對歐亞市場的依賴。

• iDEAL Semiconductor Announces Polar Semiconductor as Manufacturing Partner for SuperQ™ Power Devices

（首圖來源：shutterstock）