HBF 爭奪戰開打，傳三星加入挑戰 SK 與鎧俠

根據韓媒報導，三星電子已著手展開高頻寬快閃記憶體（HBF）產品的概念設計與初期開發，準備加入記憶體市場新一輪戰局。

HBF 的設計理念與 HBM 相似，皆透過矽穿孔（TSV）技術將多層晶片堆疊連接。不同之處在於，HBM 以 DRAM 為核心，而 HBF 則採用 NAND 快閃記憶體，具備容量更大、成本更具優勢的特點。

隨著資料中心對記憶體容量的需求攀升，現有的 NAND 容量已逐漸顯得不足。同時，HBM 屬於揮發性記憶體，一旦斷電就會遺失所有資料；若能額外搭配具備非揮發特性的 NAND Flash，則可在確保資料保存的同時，兼顧高速運算需求。因此，未來市場預期將逐步朝向 HBM + HBF 的雙構架模式，以滿足 AI 算力對高頻寬與大容量的雙重需求。

而 SK 海力士與 SanDisk 最早搶先啟動 HBF 標準開發，雙方已簽署合作備忘錄，目標 2026 年供應樣品、2027 年量產。同時，日本鎧俠（Kioxia）亦於今年 8 月展示超高速原型，率先展現技術實力。這些動作顯示，HBF 已成為全球記憶體廠商積極布局的新戰場。

如今，NAND 快閃記憶體市佔率第一的三星電子正式加入戰局，被視為可能改變市場走向的關鍵力量。根據 TrendForce 資料顯示，受惠於 AI 伺服器帶動企業級 SSD 需求，三星第二季全球 NAND 市佔率小幅上升至 32.9%，穩居第一。若將此優勢轉化至 HBF 領域，將使其他企業難以切入市場。

隨著 AI 模型規模快速膨脹，僅依靠 HBM 恐難完全支撐資料中心的龐大需求，因此業界開始關注 HBF 作為補充方案的可能性。HBF 若能成功實現，將有望在確保低延遲的同時，為 GPU 提供更大容量的數據存取，以及減少多餘成本。