Tag Archives: HBF

跨越 AI 記憶體牆：儲存階層的重新分配與 HBF 剖析
作者 |發布日期 2026 年 05 月 05 日 7:00 |
line share
Linkedin share
line share
分類 AI 人工智慧 , 半導體 , 封裝測試

混合專家（MoE）架構雖能降低運算需求，但由於所有專家權重必須常駐顯存，Transformer 逐字生成特性也對記憶體頻寬提出高要求；同時，長文本應用 KV Cache 隨對話長度線性增長，龐大模型權重與動態增長的 KV Cache 分別皆對記憶體需求大幅增加，AI 運算瓶頸已從算力不足，轉向記憶體容量受限。 繼續閱讀..

搶攻 AI 推論記憶體市場！SK 海力士與 Sandisk 正式啟動 HBF 全球標準化進程
作者 |發布日期 2026 年 02 月 26 日 8:20 |
line share
Linkedin share
line share
分類 AI 人工智慧 , 半導體 , 記憶體

SK 海力士於 26 日宣布，已於當地時間 25 日在美國加州米爾皮塔斯（Milpitas）的 Sandisk 總部，與 Sandisk 聯合舉辦「HBF 規格標準化聯盟啟動會」，正式發布面向 AI 推論時代的下一代儲存解決方案 HBF（高頻寬快閃記憶體，High Bandwidth Flash）全球標準化戰略。 繼續閱讀..

SK 海力士宣布攜手輝達開發性能提升 10 倍次世代 AI NAND 解決方案
作者 |發布日期 2025 年 12 月 11 日 8:00 |
line share
Linkedin share
line share
分類 AI 人工智慧 , 半導體 , 記憶體

韓國記憶體大廠 SK 海力士（SK hynix）正積極擘劃人工智慧（AI）記憶體的新藍圖，該公司於日前宣布與輝達 (NVIDIA) 展開深度合作，共同開發效能較現有產品提升近 10 倍的次世代 AI NAND 解決方案。這項突破性的產品，以解決 AI 運算與儲存之間長期存在的瓶頸問題，預計首批樣本將於 2026 年底問世。

繼續閱讀..

記憶體、KV 快取成新戰場！SK 海力士、SanDisk、三星搶布局 HBF
作者 |發布日期 2025 年 11 月 04 日 9:06 |
line share
Linkedin share
line share
分類 AI 人工智慧 , 半導體 , 記憶體

韓國 KAIST 教授、HBM（高頻寬記憶體）之父 Kim Jung-Ho 則在 Youtube 節目上直言，「AI 時代的主導權，正從 GPU 轉向記憶體！」有鑒於記憶體越來越重要，NVIDIA 可能會併購記憶體公司，如美光（Micron）或者 SanDisk。他也分享 HBF（高頻寬快閃記憶體，High Bandwidth Flash）的重要性，預期明年 1、2 月會有新進度，2027 至 2028 年將正式登場。 繼續閱讀..

韓媒：不只 HBM！未來 HBF 崛起，NAND 堆疊成 AI 新儲存動能
作者 |發布日期 2025 年 09 月 11 日 14:00 |
line share
Linkedin share
line share
分類 AI 人工智慧 , 半導體 , 記憶體

根據韓媒報導，韓國科學技術院（KAIST）電機工程系教授 Kim Joung-ho（在韓國媒體中被譽為「HBM 之父」）表示，高頻寬快閃記憶體（High Bandwidth Flash，HBF）有望成為下一代 AI 時代的重要記憶體技術，將與高頻寬記憶體（HBM）並行發展，共同推動晶片大廠的業績成長。 繼續閱讀..