記憶體大廠華邦電近期公布亮眼的第三季財報，大幅超出外資及市場的共識預期。根據外資小摩發出的最新研究報告指出，鑑於華邦電正受惠於強勁的記憶體週期，且對未來產能擴張深具信心，維持華邦電「加碼」投資評等，目標價從原先的 65 元上調至 70 元。
華邦電第三季財報顯示，EPS 達到新台幣 0.65 元，較小摩預期高。營收金額達新台幣218 億元，較第二季增加 4%，較 2024 年同期也增加 2%。毛利率表現亮眼達 46.7%，較前一季躍升 24 個百分點，優於小摩先前預期達 5.4 個百分點。記憶體營收較第二季增加 10%，較 2024 年同期增加 9%，毛利率更高達 50.8%。其中，DRAM 營收較第二季增加 18%，較 2024年同期增加 33%。DDR4 營收在第三季更是季增超過一倍。
展望近期，華邦電預計第四季營收成長將加速，預計 EPS 可達 0.76元，較第三季增加 16%。公司預期常規記憶體組合，包括 DDR3、DDR4、SLC NAND 和 NOR，都將受惠於強勁的記憶體週期，並在未來幾季享受價格上漲。
報告指出，華邦電對其中期前景持正面看法。公司預計 DDR4 和 DDR3 合約價格將持續上漲至 2026 年，主要是由於三大廠退出所造成的結構性供應缺口。因此，常規 DRAM 的定價強勁期預計將超越歷史上 6-9 個月的週期。此外，Flash 產品 （SLC NAND 和 NOR） 的價格上漲幅度與長度也高於先前預期。
為滿足客戶對消費性 DDR4 供不應求的需求，華邦電正於高雄廠執行 DRAM 產能升級與擴張，主要集中在 16 奈米製程。公司展現高度信心，計劃從 2026 年上半年開始拉升 DRAM 16 奈米產量，並於 2026 年下半年裝載新的 DRAM 產能。
另外，華邦電宣佈 2026 年至 2027 年的資本支出，其中 DRAM 投入約 350 億元。DRAM 資本支出將用於升級現有每月 1.5 萬片產能 （將 25 /20 奈米轉換為 16 奈米），並在高雄廠新增每月 1-1.2 萬片產能。公司預計，隨著這些升級和擴張完成（大部分轉為 16 奈米），DRAM 位元出貨量將較目前水準翻倍，且所有產能皆有客戶強勁的需求預測作為支撐。
小摩指出，基於強勁的產品定價和產能擴張計畫，大幅上調了華邦電的獲利預測。其中，2026 年預估 EPS 上調 11% 至 4.47 元，這比市場共識高出 60%。因此，維持華邦電 「加碼」投資評等，目標價從原先的 65 元上調至 70 元。
(首圖來源：科技新報攝)
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