力積電 Q3 虧損縮小，明年 WoW 量產期程受矚目

力積電第三季財報顯示單季淨損較上季縮小，但仍為連續第九季虧損，前三季亦為虧損；虧損縮小主要受跌價損失回沖與匯損減少影響，單季稼動率約 78%，整體獲利尚未恢復至正數。

產品組合方面，力積電第三季記憶體出貨提升，DRAM與NAND營收貢獻增加，記憶體占比顯著上升；HBM（High Bandwidth Memory）需求持續成長，加上韓系廠商減產帶動SLC NAND回溫，整體記憶體平均售價上揚已開始反映至代工出貨。

資本支出方面，力積電已將2025年資本支出由原訂約4.54億美元下修至3.41億美元，部分投資時程延後至次年執行。力積電身為代工廠，產品售價上漲對代工費的反映有時間差，11月起可逐步看到價格上升的遞延效果。

先進封裝布局，力積電以矽中介層（Interposer）為核心的2.5D封裝良率已達量產水準，將擴大投片；3D晶圓堆疊（Wafer-on-Wafer，WoW）目前進入概念驗證階段，若驗證順利，量產時程可望落在2026下半年。

營收動能方面，近期月營收維持在近年高檔區間，已為連續數月出現年增；記憶體投片與價格上漲背景下，帶動第四季投片量與代工價格有機會同步上揚。

（本文由 MoneyDJ新聞 授權轉載；首圖來源：科技新報）