綜合外媒報導，根據美光最新公開文件，美光位於紐約克雷（Clay）附近的晶圓廠再次延後，預計 2033 年底才上線。
根據該文件，美光原計畫 2026 年底開始興建第一座晶圓廠（Fab 1）建設、2028 年中啟用第一座晶圓廠，現在預計 2030 年底開始運營；第二座（Fab 2）原預計於 2028 下半年啟動，完工時間已經從 2030 年延至 2033 年底；其餘兩座廠（Fab 3 與 Fab 4）原本預期分別於 2035 年與 2041 年啟用。不過施工時程也將拉長，第一座晶圓廠的建設期將從三年延長至四年。
報導指出，整個紐約克雷園區將於 2045 年全面建成，並達到滿產，比原計畫晚五年。雖然美光沒有具體分享延後原因，但可能跟美國商務部簽署 61 億美元融資協議中的要求出現變化有關。
同時，在延後紐約廠建設的同時，美光正加快愛達荷廠的建設進度，並將晶片法案（The CHIPS Act）資金重新分配至愛達荷州的設施。換言之，兩座愛達荷晶圓廠（一座現有、一座規劃中）將優先於克雷廠完工，顯示專案優先順序出現策略性調整。
據報導，作為調整的一部分，美光將約 12 億美元聯邦補助金從紐約轉至愛達荷州，使克雷園區獲得的資金從 46 億美元降至 34 億美元。美光表示，此更新符合聯邦協議下專案需求演變。
若專案調整屬實，預期應不影響美光最終在美國生產 40% DRAM 的目標，因為公司採取逐一專案優先策略，而非延後新廠建設。同時，優先建設愛達荷 ID2 將有利於美光在美國 HBM 產量，並將在愛達荷建立高階封裝設施，以生產需要高階封裝的記憶體產品。
- Micron chip factories in Upstate NY will be delayed by 2-3 years, company says
- Micron delays New York chipmaking fabs by five years, but accelerates second fab in Idaho and reallocates CHIPS Act funding
（首圖來源：美光）
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