記憶體產業 2026 年資本支出仍顯保守，挹注位元產出成長有限

TrendForce 調查顯示，記憶體平均銷售價格（ASP）持續提升，供應商獲利也增加，DRAM 與 NAND Flash 之後資本支出會持續上漲，但 2026 年位元產出成長挹注有限。DRAM 和 NAND Flash 產業投資重心逐漸轉變，從單純擴充產能轉向製程升級、高層數堆疊、混合鍵合及 HBM 等高附加價值產品。

DRAM產業資本支出今年達537億美元，2026年進一步成長至613億美元，年增率達14%。NAND Flash部分，資本支出今年為211億美元，2026年小幅增長至222億美元，年增約5%。

DRAM各供應商，美光最積極，2026年資本支出達135億美元，年增23%，專注1 gamma製程滲透和TSV設備建置。SK海力士增幅也十分明顯，2026年205億美元，年增17%，以應付M15x的HBM4產能擴張。三星預定投入200億美元，年增11%，HBM的1C製程滲透及小幅增加P4L晶圓產能。

TrendForce指出，無塵室空間也不足，檢視所有DRAM供應商產能空間，僅三星與SK海力士仍有小幅擴大產線的機會，美光則需等待美國ID1新廠落成，最快2027年才能產出，任何後續上修資本支出對2026年位元產出貢獻皆非常有限。

NAND Flash各供應商，鎧俠／SanDisk和長江存儲因沒有DRAM業務，認為是最積極擴大產能以鞏固地位的廠商。鎧俠／SanDisk投入45億美元，年增41%，加速BiCS8生產並投資BiCS9研發。美光2026年目標是微幅增加NAND Flash產能並專注G9製程和企業級SSD業務，資本支出年增幅達63%。三星和SK海力士／Solidigm則縮減或限制NAND Flash資本支出，投資應優先轉向HBM和DRAM。

TrendForce分析，此次NAND Flash產業需求的爆發，主要受AI儲存容量需求急速攀升，以及HDD供應不足導致雲端服務供應商（CSP）轉單帶動。此現象屬結構性短缺，而非短暫市場波動。

過去數年產業經歷多次景氣循環，部分廠商資本支出與擴產策略更趨保守。2026年資本支出重心為製程升級和導入hybrid- bonding而非擴產，導致供應位元增幅有限，TrendForce認為，NAND Flash市場供不應求將延續2026全年。