根據 Business Korea 的報導，韓國三星電子於 2026 年的定期高階主管人事調整中，大規模遴選並晉升了晶片核心製程的技術人才，目的在全面提升良率並確保量產競爭力。此舉被韓國業界視為三星電子戰略轉變的明確信號，即從追求領先的競爭，轉向專注於穩固良率和量產穩定性的策略。
報導指出，由於代工（和記憶體事業部在過去一段時間內又許多良率和量產穩定性方面的挑戰，使得三星此次將核心領導人才安排在不良分析、先進製程和新元件開發等關鍵領域，以恢復並奠定半導體競爭力的基礎。一位韓國半導體業界相關人士評論指出，三星實以現場技術領導力為中心的人事調整，展現了公司在兩大半導體核心支柱上達成穩定的堅定決心。
以代工事業部微粒，在本次人事調整中，針對良率改善的核心技術人才的晉升尤其引人注目。之前，三星代工在2奈米和3奈米製程的良率確保上遭遇困難，導致其競爭力受到動搖。例如用於智慧型手機的Exynos 2500行動處理器（AP）就因為3奈米良率確保失敗，最終取消了在Galaxy旗艦產品上的搭載。而且，還造成部分主要客戶將生產訂單轉移至台積電，導致三星的業績表現不佳。
然而，近期韓國業界人士分析顯示，三星代工已進入復甦階段。目前，製程穩定和新客戶獲取正在同步進行。具體而言，4奈米之後的良率改善速度加快，同時也觀察到2奈米初期良率取得進展。此外，來自特斯拉等大型科技公司和 AI IC 設計公司的新訂單不斷湧入，開始有了業務反彈的信號。
為反映並強化這一趨勢，三星多位關鍵技術領導者獲得晉升：
Kim Young-dae（中譯：金永大）副社長（代工事業部產品技術組長），他是一位評估與分析專家，先前透過提升晶圓特性分析和不良驗證體系，協助確保了2奈米和3奈米領先製程的良率與性能。
Jeon Ha-young（中譯：全夏英）製程工程師：他透過乾式清潔（Dry Clean）超精密蝕刻新製程，為確保3奈米、2奈米乃至1.4奈米尖端製程的微細化技術做出了貢獻。
至於在記憶體事業部中，三星同樣面臨市場壓力。2024 年第四季，三星電子在全球DRAM市占率方面將第一的寶座讓給了主導HBM市場的SK海力士。為此，三星電子正加快步伐，在實現HBM3E量產之後，加速下一代HBM4的開發。目前，公司正集中精力確保HBM4的良率，並生產了1萬片單位的樣品。
在此次人事調整中，該領域的核心人才也被推向第一線：
Hong Hee-il （中譯：洪熙一）副社長（記憶體事業部DRAM PE組長）：他透過對HBM3E、HBM4、DDR5和LPDDR5x等主要DRAM產品的生產優化和不良篩選，顯著提高了產品的完成度。
Yoo Ho-in（中譯：劉浩仁）常務和 Lee Byeong-hyun（中譯：李炳鉉）副社長（DRAM PA2 Group）：兩人在D1c DRAM及HBM4的開發過程中，確認了良率與量產，以及不良品的控制。
Noh Kyung-yoon （中譯：盧慶潤）副社長（Flash PA1組長）：他透過導入新製程來改善單元可靠性和提高量產性，為強化下一代V-NAND的競爭力做出了貢獻。
Jeong Yong-deok（中譯：鄭容德）副社長（全球製造與基礎設施總管MI技術組長）：他整合了DRAM、快閃記憶體和邏輯等所有產品的計量和不良品檢測能力，從而提升了量產的穩定性。
除了針對現有產品線的良率提升外，此次晉升也涵蓋了對下一代技術領導者的培養，特別是在材料和封裝領域。
Lee Jae-deok（中譯：李在德）院士（Flash TD組）：他主導了高性能V-NAND用新材料的開發。
Kang Myung-gil（中譯：姜明吉）製程工程師（Logic TD1組）：他領導了GAA（環繞閘極）和FinFET等邏輯新元件的研究。
Kim Jae-choon（中譯：金載春）製程工程師（PKG開發組）：他對於AI和HPC（高效能運算）用封裝的熱特性優化做出了重要貢獻。
報導強調，業界普遍認為，此次人事變動代表著三星在半導體策略上的重大轉捩點。在經歷了代工業務因良率不足導致客戶流失的困境之後，最近新訂單的承接和製程改善已開始具體化。三星透過將管理重點轉移到現場技術領導力和良率穩定化上，展現了在關鍵技術基礎上實現業務全面好轉的堅定意志。
(首圖來源：shutterstock)
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