面對車用控制器對高效能的不斷追求，Microchip Technology 旗下子公司──冠捷半導體 (Silicon Storage Technology，SST) 與全球半導體晶圓代工大廠聯華電子於16日共同宣布，SST 的第四代嵌入式 SuperFlashR (ESF4)解決方案，已在聯電 28HPC+ 製程平台上完成全數驗證並正式進入量產階段，具備完整的 Automotive Grade 1(AG1)車規等級能力。
根據聲明指出，SST與聯電攜手打造的 ESF4，不僅可於車用控制器應用中提供強化的嵌入式非揮發性記憶體(eNVM)效能與驗證過的高可靠性，更相較於其他廠商的 28 奈米高介電係數金屬閘極(HKMG) eFlash 解決方案，大幅減少了額外製程光罩步驟，為客戶帶來更具成本效益與生產效率的方案。因此，目前已於晶圓代工廠 40奈米 ESF3 AG1 平台生產車用控制器產品的客戶，若有升級至先進製程節點的需求，建議評估聯電 28奈米 ESF4 AG1 平台。
Microchip 授權業務部門副總裁 Mark Reiten 表示，隨著車用需求持續加速，開發者迫切需要能提升效率、加快產品上市並滿足嚴格車規標準的解決方案。SST與聯電攜手提供了具備量產能力的 28奈米 AG1 解決方案，協助客戶加速設計導入。聯電一直是 SST 推動 SuperFlash 創新的重要夥伴，我們將持續共同回應快速演進的市場需求，提供具技術與經濟優勢的產品。
聯電技術研發副總經理徐世杰表示，隨著車輛日益邁向互聯、自駕與共享，對高可靠性資料儲存與大容量資料更新的需求也不斷成長，促使客戶期待能在28奈米製程導入SuperFlash 技術。透過與 SST 的緊密合作，我們成功推出已整合至 28HPC+ 製程平台的 ESF4 解決方案，讓客戶能充分運用聯電豐富的模組與 IP，拓展關鍵市場，同時升級至更先進製程節點。
聯電 28HPC+ 製程平台上 SuperFlash ESF4 AG1 的關鍵效能與可靠性指標包括：
- 通過 Automotive Electronics Council(AEC) Q-100 Grade 1 認證，適用-40°C 至 +150°C(Tj)溫度範圍。
- 讀取存取時間小於 12.5ns。
- 寫入耐久達 10 萬次以上。
- 在 125°C 下資料保存超過 10 年。
- 僅需單位元錯誤更正碼(1-bit ECC)。
- 32Mb 巨集在 AG1 條件下驗證結果為無任何位元錯誤(未使用 ECC)，且最高良率達 100%。
車用控制器的出貨量逐年快速成長，交通運輸產業對於多樣化車載應用的創新解決方案需求也與日俱增。為滿足此需求，在控制器中整合高效能且具備高可靠性的 eNVM 以儲存程式碼與資料，已成為關鍵。SST 搭載聯電 28HPC+ AG1 製程的 ESF4 解決方案，適用於需具備空中下載(Over-the Air, OTA)無線更新功能的高容量控制器韌體，有效提升產品升級與維護的彈性。
(首圖來源：聯電提供)
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