美系外資摩根大通(小摩)在最新外資報告中指出,隨著 AI 推論帶動儲存需求擴散,加上多項新技術路徑採用 KV 快取(KV Cache),預期未來三年 eSSD 內容量成長將顯著加速至 900EB。
同時,HDD 供應吃緊亦為 SSD 帶來正向需求,預期 HDD 與 SSD 將在不同應用區隔中相互互補。
雖然市場認為 NAND 吸引力不如 DRAM,但小摩認為 NAND 供應商的資本支出紀律更嚴格,加上關鍵供應商策略聚焦 DRAM,預期在企業級 SSD 強勁成長帶動下,2028 年 AI NAND 整體潛在市場(TAM)約 700 億美元。
技術演進部分,隨著記憶體製造商將無塵室空間配置給 DRAM,預期主要記憶體廠商的 NAND 無塵室面積占比將持續下降;此外,HBF(High-Bandwidth Flash)目前仍處於概念驗證階段,若未來成功商轉,相較一般 3D NAND 將更有利於產業供需結構。
記憶體類股部分,小摩看好鎧俠(Kioxia)、華邦電、SK 海力士、慧榮科技;半導體設備領域,則看好東京威力科創(TEL)。
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