世界先進今（28 日）宣布已與台積電簽署高壓(650V)與低壓(80V)氮化鎵(GaN)製程技術的授權協議。此授權協議將協助世界先進加速開發並拓展新一代氮化鎵電源元件，應用於資料中心、車用電子、工業控制與能源管理等高效率電能轉換領域。
世界先進指出，透過此次授權，將擴展其矽基底功率氮化鎵(GaN-on-Si)製程至高壓應用領域，並提供完整的GaN-on-Si平台，結合原有的新基底功率氮化鎵(GaN-on-QST)製程平台，世界先進將成為全球唯一能同時提供矽基底功率及新基底功率，兩種不同基板氮化鎵製程的晶圓製造服務公司，可支援自低壓(小於200V)、高壓(650V)乃至超高壓(1200V)的完整產品解決方案，進一步強化世界先進公司在高效率電能轉換領域的技術布局。
隨著傳統矽基製程逐漸達其效能極限，氮化鎵以其高效率、高功率密度與小型化特性，已成為新一代電源技術的關鍵材料。世界先進指出，正積極建構涵蓋自 15V 至 1,200V 的氮化鎵製程技術，為客戶提供更靈活且具競爭力的選擇。
透過本次技術授權，世界先進認為，將精準打造一個能與現有製程平台無縫接軌的氮化鎵製程平台，並將於公司成熟的八吋晶圓生產平台上進行驗證，以確保製程穩定性與高良率。相關開發作業預計於 2026 年初啟動，並於 2028 年上半年量產。
世界先進總經理尉濟時博士表示，此次技術授權不僅展現與台積電持續交流與合作的成果，更象徵世界先進持續致力於推動完整氮化鎵產品解決方案，並強化在化合物半導體領域的策略布局。透過本次技術授權，將加速協助客戶滿足其對高效能電能轉換應用領域的需求，推動半導體電源技術邁向新世代，實現綠色能源與智慧應用的未來。
（首圖來源：科技新報）
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