中國長鑫存儲正擴大在 HBM 市場布局，以把握 AI 熱潮帶來的機會。據悉，該公司正計劃將相當大一部分 DRAM 產出轉換為 HBM。
隨著近年 DRAM 產業競爭日益激烈，也為長鑫存儲等中國記憶體廠商打開新機會。根據韓媒 MK 報導，長鑫存儲計劃在今年將 DRAM 產能擴充至每月 30 萬片晶圓，其中約 20%、即約 6 萬片晶圓將投入 HBM3 生產。
為了拉開與中國技術追趕的距離，韓國半導體企業也加快腳步，三星本月底起將率先於全球開始為 NVIDIA 供貨的 HBM4 量產。兩間韓國大廠則於 2023 年開始量產 HBM3。
報導指出，韓中之間的技術差距，在 HBM3 前一代產品約為 4 年，但在 HBM3 世代已縮小至 3 年。據推估，三星與 SK 海力士投入 HBM 用 DRAM 的晶圓數量，各約在 15 萬片。
相較於中國在 NAND Flash 技術差距約 1 年、與 DRAM 差距約 2 年，目前距離已經逐步縮小。HBM 一直被視為中國半導體技術明顯落後的領域，但隨著中國積極推動 AI 半導體與 HBM 的研發，雙方在 HBM 的技術差距也逐步拉近。
業界人士透露，在中國主導 AI 半導體開發的華為，正與長鑫存儲攜手投入 HBM 研發，即便良率偏低，仍預期會直接進入量產階段。
隨著技術差距逐步縮小，美國科技企業也開始認真評估採用中國製的記憶體產品。據中媒快科技、日經等報導接指出，包含 HP、戴爾、宏碁、華碩等 PC 廠商都在評估採用長鑫存儲的 DRAM，以解決記憶體供應不足問題。但市場也擔心，一旦供給回到充足水準，業者可能會轉而改用中國製產品。
業界傳出三星將率先全球量產並供應 HBM4 給 NVIDIA，量產出貨時間最快已敲定在本月第三週。據報導，三星電子已通過 NVIDIA 的品質測試並取得採購訂單（PO），SK 海力士也已向 NVIDIA 供應付費樣品，並預計在第一季內開始量產供貨。
據悉，華為擴大 AI 晶片產量的最大瓶頸是 HBM，而非半導體本身，因為這家晶片巨頭一直依賴出口管制前從三星累積的庫存。目前中國正努力縮小與國際廠商在 HBM 市場的差距，但長鑫存儲 HBM3 解決方案目前尚未進入主流市場。
目前中國 HBM3 主要疑慮在良率，因為在無法取得 EUV 設備的情況下，長鑫存儲目前只能採用多重曝光製程。若長鑫存儲在 HBM 生產上取得突破，未來一部分 DRAM 產能可能將轉向 HBM。
- 곧 중국산 HBM3 양산…한중격차 4년서 3년으로 좁혀졌다
- China’s Largest Memory Manufacturer, CXMT, Plans to Allocate a “Large Chunk” of Its DRAM Production to HBM3, Hoping to Compete in the AI Race
（首圖來源：長鑫存儲）
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