Tag Archives: HBM3

HBM3 原由 SK 海力士獨供，三星獲 AMD 驗證通過將急起直追
作者 |發布日期 2024 年 03 月 13 日 14:53 |
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分類 半導體 , 晶片 , 記憶體

TrendForce 資深研究副總吳雅婷表示，今年 HBM（High Bandwidth Memory）市場主流為 HBM3，NVIDIA 新世代含 B100 或 H200 規格為最新 HBM3e 產品。由於 AI 需求高漲，輝達（NVIDIA）及其他品牌 GPU 或 ASIC 供應緊俏，除了 CoWoS 是供應瓶頸，HBM 亦同，主要是 HBM 生產週期較 DDR5 長，投片到產出與封裝完成需兩季以上。 繼續閱讀..

韓美路線分歧！記憶體三巨頭搶占 HBM 技術，誰掌握下一代話語權？
作者 |發布日期 2023 年 12 月 06 日 16:35 |
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分類 封裝測試 , 晶片 , 會員專區

市場消息傳出，輝達新品發布週期從兩年縮短至一年，記憶體大廠紛紛投入下一代高頻寬記憶體（HBM）技術，三星、SK 海力士、美光競爭激烈，目前以 SK 海力士獲得 HBM 市場主導權的聲勢最大，不過美光、三星也從產品策略和技術布局下手，等待彎道超車。 繼續閱讀..

原廠積極擴產，2024 年 HBM 位元供給年成長率 105%
作者 |發布日期 2023 年 08 月 09 日 14:10 |
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分類 AI 人工智慧 , 半導體 , 記憶體

TrendForce 最新報告指出，記憶體原廠面臨輝達（NVIDIA）及其他雲端服務業者（CSP）自研晶片加單，增加TSV產線擴增HBM產能。從目前各原廠規劃看，2024年HBM供給位元量年增105%，考量TSV擴產加上機台交期與測試時間合計可能長達9~12個月，TrendForce預估多數HBM產能要等到明年第二季才可望陸續開出。 繼續閱讀..

美光推新一代 HBM3 記憶體，推動生成式 AI 創新
作者 |發布日期 2023 年 07 月 27 日 14:30 |
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分類 AI 人工智慧 , 半導體 , 記憶體
路透社

美光科技宣布推出業界首款第二代 8 層堆疊（8-High）24GB HBM3，並於今天開始送樣。此產品頻寬達 1.2TB/s 以上，每腳位傳輸速率超過 9.2Gb/s，較目前市面上的 HBM3 解決方案高出 50%。此外，美光第二代 HBM3 的每瓦效能較前幾代產品提升 2.5 倍，刷新 AI 數據中心的關鍵性能、容量及功耗指標。美光指出，這些改進縮短了業界訓練 GPT-4 等大型語言模型及其更高階版本所需時間，幫助 AI 推論所需的基礎硬體架構發揮最佳功效，並提供卓越的總體擁有成本（TCO）。

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SK 海力士開發出 HBM3 DRAM 記憶體， 較上一代整體頻寬提高 78%
作者 |發布日期 2021 年 10 月 21 日 17:00 |
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分類 晶片 , 會員專區 , 記憶體

南韓記憶體大廠 SK 海力士宣布，成功開發出 HBM3 DRAM 記憶體，是全球首家開發出新一代高頻寬記憶體 (HBM)，也是 HBM 系列記憶體第四代產品。新一代 HBM3 DRAM 記憶體不僅提供更高頻寬，還堆疊更多層數 DRAM 以增加容量，提供更廣泛應用解決方案。

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Rambus 揭露下一代記憶體速度，DDR5 與 HBM3 頻寬再翻倍
作者 |發布日期 2017 年 12 月 11 日 8:01 |
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分類 記憶體 , 零組件

Intel Pentium 4 發售初期，因為市面沒有其他足以匹配 FSB 前端匯流排速度的記憶體，而選擇採用較不常見的 RDRAM 搭配，其後的主要技術來源即為 Rambus 公司。近日 Rambus 在一場投資者會議談到未來記憶體趨勢，DDR5 和 HBM3 傳輸速度相較現行產品均翻倍。 繼續閱讀..