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SK 海力士開發出 HBM3 DRAM 記憶體, 較上一代整體頻寬提高 78%

作者 |發布日期 2021 年 10 月 21 日 17:00 | 分類 晶片 , 記憶體 , 零組件

南韓記憶體大廠 SK 海力士宣布,成功開發出 HBM3 DRAM 記憶體,是全球首家開發出新一代高頻寬記憶體 (HBM),也是 HBM 系列記憶體第四代產品。新一代 HBM3 DRAM 記憶體不僅提供更高頻寬,還堆疊更多層數 DRAM 以增加容量,提供更廣泛應用解決方案。

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Rambus 揭露下一代記憶體速度,DDR5 與 HBM3 頻寬再翻倍

作者 |發布日期 2017 年 12 月 11 日 8:01 | 分類 會員專區 , 記憶體 , 零組件

Intel Pentium 4 發售初期,因為市面沒有其他足以匹配 FSB 前端匯流排速度的記憶體,而選擇採用較不常見的 RDRAM 搭配,其後的主要技術來源即為 Rambus 公司。近日 Rambus 在一場投資者會議談到未來記憶體趨勢,DDR5 和 HBM3 傳輸速度相較現行產品均翻倍。 繼續閱讀..