隨著中國持續尋求突破美國對高階極紫外光(EUV)設備出口限制之際,AI 晶片帶動的記憶體需求激增,也為中國記憶體廠商創造擴大市占率的機會。市場消息傳出,在中國政府大力扶植下,中韓兩國在高頻寬記憶體(HBM)領域的技術差距已縮小至約 3 年,而其中進展最快的企業便是長鑫存儲,該公司也計畫透過首次公開募股(IPO)籌集資金、加速擴張。 繼續閱讀..
中韓 HBM 技術差距「縮至 3 年」!傳長鑫存儲技術已達 HBM3 |
| 作者 林 妤柔|發布日期 2026 年 06 月 04 日 11:43 | 分類 AI 人工智慧 , 中國觀察 , 記憶體 |



