SK 海力士開發出 HBM3 DRAM 記憶體， 較上一代整體頻寬提高 78%
作者 | 發布日期 2021 年 10 月 21 日 17:00 | 分類 晶片 , 會員專區 , 記憶體 line share follow us in feedly line share
SK 海力士開發出 HBM3 DRAM 記憶體， 較上一代整體頻寬提高 78%


南韓記憶體大廠 SK 海力士宣布，成功開發出 HBM3 DRAM 記憶體，是全球首家開發出新一代高頻寬記憶體 (HBM)，也是 HBM 系列記憶體第四代產品。新一代 HBM3 DRAM 記憶體不僅提供更高頻寬，還堆疊更多層數 DRAM 以增加容量，提供更廣泛應用解決方案。

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