SK 海力士開發出 HBM3 DRAM 記憶體, 較上一代整體頻寬提高 78%

作者 | 發布日期 2021 年 10 月 21 日 17:00 | 分類 晶片 , 記憶體 , 零組件 Telegram share ! follow us in feedly


南韓記憶體大廠 SK 海力士宣布,成功開發出 HBM3 DRAM 記憶體,是全球首家開發出新一代高頻寬記憶體 (HBM),也是 HBM 系列記憶體第四代產品。新一代 HBM3 DRAM 記憶體不僅提供更高頻寬,還堆疊更多層數 DRAM 以增加容量,提供更廣泛應用解決方案。

SK 海力士 2020 年 7 月才量產 HBM2E 記憶體,現在就推出 HBM3,研發進度算相當快,也將鞏固 SK 海力士在全球記憶體市場的競爭力。SK 海力士 HBM3 可提供兩種容量,一種是 12 層矽通孔技術垂直堆疊的 24GB 容量,另一個是 8 層堆疊的 16GB 容量,24GB 容量晶片本身高度不超過 30 微米。

性能方面,SK 海力士 HBM3 DRAM 記憶體提供 819GB/s 頻寬,上一代 HBM2E 頻寬為 460GB/s,整體頻寬提高 78%。輝達 A100 運算卡目前使用 6 顆 HBM2E 為顯示記憶體,提供 2TB/s 頻寬。一旦換成 HBM3 規格記憶體,頻寬最高可提高到 4.9TB/s,顯示記憶體容量也提升至最高 144GB。

進一步拿 HBM2E 與 HBM3 DRAM 記憶體比較,HBM3 DRAM 記憶體內建糾錯技術,明顯提高產品可靠性。據 SK 海力士說法,預計 HBM3 DRAM 記憶體將主要用在資料中心高效能運算伺服器及機械學習平台,提高人工智慧運算速度和超級電腦性能,以幫助氣候變化分析和藥物開發等應用項目。

(首圖來源:SK 海力士)

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