中國第三期大基金 470 億美元投資 HBM，韓國警戒可能被追上

外媒報導，中國將以第三期國家積體電路產業投資基金 (大基金) 470 億美元，加速研發高頻寬記憶體 HBM2。

BusinessKorea 報導，中國記憶體廠長鑫存儲開始量產 HBM2，較市場預期要早，因美國更嚴格限制中國半導體出口。中國無法取得先進 GPU，使上代製程的 HBM2 市場需求提升。中國較受歡迎的三星 HBM2，美國下階段半導體出口中國禁令可能就會列入限制名單。

中國長鑫存儲考慮將合肥 HBM 廠新建月產能 5 萬片 12 吋晶圓產線，雖然較 SK 海力士和三星 12 萬至 13 萬片產能少多了，但較美國美光 2 萬片高。雖長鑫存儲產能小，也不能忽視背後意義：中國逐漸建立美國和韓國以外的自給自足供應鏈。

中國策略是用舊 HBM 取得成果，而不是跟進開發和量產先進 HBM，目的在優先建立自主供應鏈，滿足中國 AI 晶片 HBM 需求。市場人士認為，考量到產品良率，中國穩定量產 HBM 還需要更多時間。鑑於中國記憶體企業開始生產 HBM產，不能排除取得更多市占率的可能性。有傳聞指出，長鑫存儲也致力 HBM3 研發。

報導引用韓國產業經濟貿易研究所說法，雖然尚不清楚中國如何發展 HBM，但產量和銷售量都低。但若引進生產設備，與韓系記憶體大廠的差距可能會縮小到兩三年。

(首圖來源：長鑫存儲)